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그래핀의 제조 방법에 있어서,열팽창 보상 기판을 준비하는 단계;상기 열팽창 보상 기판 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 열팽창 보상 기판은, 열팽창 조절 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 열팽창 보상 기판을 준비하는 단계는, 지지 기판 상에 열팽창 조절 물질을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 지지 기판은, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiO2), 사파이어 및 수정(quartz) 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 열팽창 조절 물질은, 탄화 실리콘(SiC), 흑연, 그래핀, 탄소나노튜브, 다이아몬드, M2B3O12, AX2O8 및 A2P2WO12(여기서, M은 Al, Sc, In, Y, Zr, Hf, 란탄족 금속 중 어느 하나, B는 W, Mo 및 P 중 어느 하나, X는 W 및 Mo 중 어느 하나, 그리고 A는 Zr 및 Hf 중 어느 하나) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 열팽창 조절 물질은 열팽창 계수가 -50 ppm/K 내지 5 ppm/K 범위인 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 열팽창 보상 기판과 금속층의 복합층은, -20 ppm/K 내지 10 ppm/K 범위의 열팽창 계수를 가지는 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 열팽창 보상 기판은, 상기 금속층과 그래핀의 열팽창 차이를 보상하기 위한 것을 특징으로 하는 그래핀의 제조 방법
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제1항의 방법에 의하여 제조되는 그래핀
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