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태양전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015071667
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요약 본 발명은 태양전지의 제조 방법에 관한 것으로, 본 실시예의 제조 방법은 제1 도전성 타입을 갖는 기판의 후면(back surface) 일부 영역에 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 도펀트 페이스트를 도포하는 도펀트 페이스트 도포 단계; 도펀트 페이스트의 불순물을 열 확산법을 이용하여 기판의 후면으로 확산시켜, 기판의 후면에 국부적 후면 전계부(LBSF; local back surface field)를 형성하는 국부적 후면 전계부 형성 단계; 제1 도전성 타입의 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부를 이온 주입법을 이용하여 기판의 전면(front surface)에 형성하는 에미터부 형성 단계; 및 에미터부와 연결된 전면 전극부 및 국부적 후면 전계부와 연결된 후면 전극부를 형성하는 전극부 형성 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/068 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020130066155 (2013.06.10)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0144391 (2014.12.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.17)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박현정 대한민국 서울 서초구
2 이진형 대한민국 서울 서초구
3 심구환 대한민국 서울 서초구
4 하정민 대한민국 서울 서초구
5 최영호 대한민국 서울 서초구
6 장재원 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0514048-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0486738-65
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0046748-77
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0363820-97
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0739271-47
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0739270-02
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0689540-64
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-1092978-99
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.10.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1092979-34
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0828425-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 타입을 갖는 기판의 후면 일부 영역에 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 도펀트 페이스트를 도포하는 도펀트 페이스트 도포 단계;상기 도펀트 페이스트의 불순물을 열 확산법을 이용하여 상기 기판의 후면으로 확산시켜 상기 기판의 후면에 국부적 후면 전계부(LBSF; local back surface field)를 형성하는 국부적 후면 전계부 형성 단계;상기 제1 도전성 타입의 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부를 이온 주입법을 이용하여 상기 기판의 전면에 형성하는 에미터부 형성 단계; 및상기 에미터부와 연결된 전면 전극부 및 상기 국부적 후면 전계부와 연결된 후면 전극부를 형성하는 전극부 형성 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
2 2
제1항에서,상기 도펀트 페이스트 도포 단계에서,상기 도펀트 페이스트는 상기 기판의 후면 중 제1 영역에 도포하는 태양전지의 제조 방법
3 3
제1항 또는 제2항에서,상기 에미터부 형성 단계와 상기 전극부 형성 단계 사이에,상기 기판의 전면에는 전면 유전층을 형성하고 상기 기판의 후면에는 후면 유전층을 형성하는 유전층 형성 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
4 4
제3항에서,상기 전극부 형성 단계에서, 상기 전면 전극부와 상기 후면 전극부를 그리드 패턴(grid pattern)으로 각각 형성하는 태양전지의 제조 방법
5 5
제4항에서,상기 전면 전극부 및 상기 후면 전극부는 제1 도전성 입자 및 글라스 프릿을 포함하는 제1 도전 페이스트를 상기 전면 유전층 및 상기 후면 유전층 위에 그리드 패턴으로 각각 도포한 후, 상기 전면 유전층에 도포된 제1 도전 페이스트와 상기 후면 유전층에 도포된 제1 도전 페이스트를 동시에 열처리하는 것에 의해 형성하는 태양전지의 제조 방법
6 6
제3항에서,상기 전극부 형성 단계에서,상기 전면 전극부는 그리드 패턴으로 형성하고, 상기 후면 전극부는 상기 국부적 후면 전계부와 접촉하는 접촉부를 포함하는 면(sheet) 패턴으로 형성하는 태양전지의 제조 방법
7 7
제6항에서,상기 전면 전극부는 제1 도전성 입자 및 글라스 프릿을 포함하는 제1 도전 페이스트를 상기 전면 유전층 위에 그리드 패턴으로 도포한 후 상기 제1 도전 페이스트를 열처리하는 것에 의해 형성하는 태양전지의 제조 방법
8 8
제7항에서,상기 후면 전극부는 상기 제1 영역에 위치한 국부적 후면 전계부를 노출하는 개구부를 상기 후면 유전층에 형성하고, 제2 도전성 입자를 포함하는 제2 도전 페이스트를 상기 기판의 후면 전체에 면 패턴으로 도포한 후 상기 제2 도전 페이스트를 열처리하는 것에 의해 형성하는 태양전지의 제조 방법
9 9
제8항에서,상기 제1 도전성 입자와 상기 제2 도전성 입자를 서로 다른 금속 물질로 형성하는 태양전지의 제조 방법
10 10
제8항에서,상기 제1 도전 페이스트와 상기 제2 도전 페이스트를 동시에 열처리하는 태양전지의 제조 방법
11 11
제1 도전성 타입을 갖는 기판의 후면 전체에 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 도펀트 페이스트를 도포하는 도펀트 페이스트 1차 도포 단계;상기 도펀트 페이스트의 일부 영역에 상기 도펀트 페이스트를 도포하는 도펀트 페이스트 2차 도포 단계;상기 도펀트 페이스트의 불순물을 열 확산법을 이용하여 상기 기판의 후면으로 확산시켜 고농도 불순물부와 저농도 불순물부를 포함하는 선택적 후면 전계부(SBSF; selective back surface field)를 상기 기판의 후면에 형성하는 선택적 후면 전계부 형성 단계;상기 제1 도전성 타입의 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부를 이온 주입법을 이용하여 상기 기판의 전면에 형성하는 에미터부 형성 단계; 및상기 에미터부와 연결된 전면 전극부 및 상기 선택적 후면 전계부와 연결된 후면 전극부를 형성하는 전극부 형성 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
12 12
제11항에서,상기 도펀트 페이스트 2차 도포 단계에서,상기 도펀트 페이스트는 상기 1차 도포된 도펀트 페이스트의 후면 중 제1 영역에 도포하는 태양전지의 제조 방법
13 13
제11항 또는 제12항에서,상기 에미터부 형성 단계와 상기 전극부 형성 단계 사이에,상기 기판의 전면에는 전면 유전층을 형성하고 상기 기판의 후면에는 후면 유전층을 형성하는 유전층 형성 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
14 14
제13항에서,상기 전극부 형성 단계에서, 상기 전면 전극부와 상기 후면 전극부를 그리드 패턴(grid pattern)으로 각각 형성하는 태양전지의 제조 방법
15 15
제14항에서,상기 전면 전극부 및 상기 후면 전극부는 제1 도전성 입자 및 글라스 프릿을 포함하는 제1 도전 페이스트를 상기 전면 유전층 및 상기 후면 유전층 위에 그리드 패턴으로 각각 도포한 후, 상기 전면 유전층에 도포된 제1 도전 페이스트와 상기 후면 유전층에 도포된 제1 도전 페이스트를 동시에 열처리하는 것에 의해 형성하는 태양전지의 제조 방법
16 16
제13항에서,상기 전극부 형성 단계에서,상기 전면 전극부는 그리드 패턴으로 형성하고, 상기 후면 전극부는 상기 선택적 후면 전계부의 상기 고농도 불순물부와 접촉하는 접촉부를 포함하는 면(sheet) 패턴으로 형성하는 태양전지의 제조 방법
17 17
제16항에서,상기 전면 전극부는 제1 도전성 입자 및 글라스 프릿을 포함하는 제1 도전 페이스트를 상기 전면 유전층 위에 그리드 패턴으로 도포한 후 상기 제1 도전 페이스트를 열처리하는 것에 의해 형성하는 태양전지의 제조 방법
18 18
제17항에서,상기 후면 전극부는 상기 제1 영역에 위치한 상기 고농도 불순물부를 노출하는 개구부를 상기 후면 유전층에 형성하고, 제2 도전성 입자를 포함하는 제2 도전 페이스트를 상기 기판의 후면 전체에 면 패턴으로 도포한 후 상기 제2 도전 페이스트를 열처리하는 것에 의해 형성하는 태양전지의 제조 방법
19 19
제18항에서,상기 제1 도전성 입자와 상기 제2 도전성 입자를 서로 다른 금속 물질로 형성하는 태양전지의 제조 방법
20 20
제18항에서,상기 제1 도전 페이스트와 상기 제2 도전 페이스트를 동시에 열처리하는 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.