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반도체 기판;상기 반도체 기판의 일면 위에 형성되는 터널링층; 상기 터널링층 위에 형성되는 제1 및 제2 도전형 반도체층; 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각기 연결되는 제1 및 제2 전극 을 포함하고,상기 터널링층이 질화된 금속 실리케이트를 포함하고, 상기 터널링층에서 상기 반도체 기판에 인접한 제1 면보다 상기 터널링층에서 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 인접한 제2 면에서 질소 함량이 더 높은 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 터널링층이 다음의 화학식으로 표시되는 태양 전지
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제2항에 있어서, 상기 M은 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 란타넘(La) 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지
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제2항에 있어서, y는 0
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삭제
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제1항에 있어서,상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 향하면서 질소 함량이 점진적으로 증가하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 터널링층에서 상기 반도체 기판에 인접한 제1 면보다 상기 터널링층에서 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 인접한 제2 면에서 실리콘 함량이 더 작은 태양 전지
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제7항에 있어서,상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 향하면서 실리콘 함량이 점진적으로 감소하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 터널링층의 두께가 0
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베이스 영역을 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판의 일면 위에 형성되는 터널링층;상기 터널링층 위에 형성되는 제1 및 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각기 연결되는 제1 및 제2 전극; 및 상기 반도체 기판의 다른 일면 위에 형성되는 패시베이션막을 포함하고,상기 패시베이션막의 고정 전하가 1 X 1012 개/cm2 내지 9 X 1013 개/cm2 이며,상기 터널링층이 질화된 금속 실리케이트를 포함하고, 상기 터널링층에서 상기 반도체 기판에 인접한 제1 면보다 상기 터널링층에서 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 인접한 제2 면에서 질소 함량이 더 높은 태양 전지
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제10항에 있어서, 상기 반도체 기판이 베이스 영역으로 이루어지는 태양 전지
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제10항에 있어서,상기 패시베이션막에 인접한 상기 반도체 기판의 비저항이 0
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반도체 기판의 일면 위에 금속 산화물층을 형성하는 단계;상기 금속 산화물을 열처리하여 금속 실리케이트를 포함하는 터널링층을 형성하는 단계; 상기 터널링층 위에 제1 및 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각기 연결되는 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계 를 포함하고,상기 터널링층에서 상기 반도체 기판에 인접한 제1 면보다 상기 터널링층에서 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 인접한 제2 면에서 질소 함량이 더 높은 태양 전지의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 금속 산화물층이 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 및 란타넘 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 금속 산화물층을 형성하는 단계에서는 원자층 증착에 의하여 상기 금속 산화물을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 터널링층을 형성하는 단계에서 열처리 온도는 400℃ 내지 600℃인 태양 전지의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 터널링층을 형성하는 단계와 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계 사이에, 상기 터널링층이 질화된 금속 실리케이트를 포함하도록 상기 터널링층을 질화 처리하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 터널링층의 두께가 0
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제13항에 있어서, 상기 금속 산화물층을 형성하는 단계 전에, 상기 반도체 기판의 상기 일면에 실리콘 산화물층을 형성하는 딘계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 반도체 기판의 다른 일면에 패시베이션 막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 패시베이션막의 고정 전하가 1 X 1012 개/cm2 내지 9 X 1013 개/cm2 인 태양 전지의 제조 방법
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