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AlN 층;상기 AlN 층 상에 형성된 InAlGaN 중간층;상기 InAlGaN 중간층 상에 형성된 GaN 채널층; 및상기 GaN 채널층 상에 형성된 AlGaN 장벽층을 포함하고,상기 InAlGaN 중간층 및 상기 GaN 채널층 사이에 위치하는 초격자층을 더 포함하며,상기 초격자층은, 서로 다른 2개의 제 1 박막층 및 제 2 박막층이 적층된 초격자 박막층이 복수개 적층되어 형성되고,상기 AlN층은,서로 다른 온도로 성장된 AlN으로 이루어진 복수의 층을 포함하며,상기 서로 다른 온도로 성장된 AlN으로 이루어진 복수의 층의 개수는,2 ~ 5인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1항에 있어서, InAlGaN 중간층의 조성은,InxAlyGa1-x-yN으로 표현되고,0 003c# x 003c#0
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제2항에 있어서, 상기 InAlGaN 중간층의 In의 조성 x는,상기 InAlGaN 중간층의 성장 방향으로 유지되거나 감소되는 것인 반도체 소자
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제2항에 있어서, 상기 InAlGaN 중간층의 Al의 조성 y는,상기 InAlGaN 중간층의 성장 방향으로 유지되거나 감소되는 것인 반도체 소자
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제2항에 있어서, 상기 x 및 y 중 적어도 하나는,상기 InAlGaN 중간층의 성장 방향으로 불연속적으로 감소되는 것인 반도체 소자
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제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 InAlGaN 중간층의 성장 방향은,[0 0 1] 격자 방향인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 InAlGaN 중간층의 두께는,100nm ~ 1000nm인 것인 반도체 소자
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 제 1 박막층은,AlN으로 이루어지고,상기 제 2 박막층은,GaN으로 이루어지는 것인 반도체 소자
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제10항에 있어서, 상기 제 1 박막층에 포함된 Al의 조성은,50% ~ 99%인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 1 박막층의 두께는,2nm ~ 10nm이고,상기 제 2 박막층의 두께는,2nm ~ 100nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 적층되는 초격자 박막층의 개수는,10 ~ 300인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 초격자층은,p형 도펀트로 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제14항에 있어서, 상기 p형 도펀트는,Mg, C 및 Fe 중 적어도 하나인 것인 반도체 소자
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제14항에 있어서, 상기 p형 도펀트의 농도는,1e16/cm3 ~ 5e20/cm3 인 것인 반도체 소자
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제14항에 있어서, 상기 p형 도펀트의 농도는,상기 초격자층의 적층 방향으로 점층적으로 감소되는 것인 반도체 소자
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 AlN층의 두께는,1 nm ~ 20 nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 GaN 채널층의 두께는,0
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제1항에 있어서, 상기 GaN 채널층은,C, Fe, Mg 및 Mn 중 적어도 하나의 도펀트로 도핑되는 것인 반도체 소자
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제22항에 있어서, 상기 적어도 하나의 도펀트 농도는,1e18/cm3 ~ 5e20/cm3인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaN 장벽층의 Al의 조성은,10% ~ 30%인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaN 장벽층의 두께는,10nm ~ 50nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlN층은,기판 상에 형성되는 것인 반도체 소자
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제26항에 있어서, 상기 기판은,Si, SiC, Sapphire 및 AlN 중 적어도 하나로 이루어지는 것인 반도체 소자
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기판 상에 AlN층을 형성시키는 단계;상기 AlN 층 상에 InAlGaN 중간층을 형성시키는 단계;상기 InAlGaN 중간층 상에 GaN 채널층을 형성시키는 단계; 및상기 GaN 채널층 상에 AlGaN 장벽층을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 InAlGaN 중간층 및 상기 GaN 채널층 사이에 초격자층을 형성시키는 단계를 더 포함하며,상기 초격자층은,서로 다른 2개의 제 1 박막층 및 제 2 박막층이 적층된 초격자 박막층이 복수개 적층되어 형성되고,상기 AlN층은,서로 다른 온도로 성장된 AlN으로 이루어진 복수의 층을 포함하며,상기 서로 다른 온도로 성장된 AlN으로 이루어진 복수의 층의 개수는,2 ~ 5인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제28항에 있어서, 상기 InAlGaN 중간층의 조성은,InxAlyGa1-x-yN으로 표현되고,0 003c# x 003c#0
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제28항에 있어서, 상기 AlN층, 상기 InAlGaN 중간층, 상기 GaN 채널층 및 상기 AlGaN 장벽층 중 적어도 하나는,유기 금속 기상 성장법(MOCVD), 분자선 에피성장법(MBE), 힐라이드 기상 성장법(HVPE), PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition), 스퍼터링(Sputtering) 및 ALD(atomic layer deposition) 중 적어도 하나를 근거로 형성되는 것인 반도체 소자의 제조방법
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제28항에 있어서, 상기 제 1 박막층은,AlN으로 이루어지고,상기 제 2 박막층은,GaN으로 이루어지는 것인 반도체 소자의 제조방법
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