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반응실;상기 반응실 내에 위치하고, 웨이퍼를 안착시키는 서셉터; 및상기 반응실 내로 유입되는 가스의 유동을 제어하는 가스 유동 제어부를 포함하며,상기 가스 유동 제어부는,일면에 측벽과 바닥으로 이루어지는 캐비티(cavity)를 구비하며, 가스의 흐름을 분리하는 복수의 유출구들을 갖는 인젝트 캡(inject cap);상기 복수의 유출구들 각각에 대응하는 제1 관통 홀들을 포함하고, 상기 제1 관통 홀들은 상기 복수의 유출구들로부터 배출되는 가스를 통과시키는 인젝트 버퍼(inject buffer); 및상기 제1 관통 홀들 각각에 대응하는 제2 관통 홀들을 포함하며, 상기 제2 관통 홀들은 상기 제1 관통 홀들을 통과한 가스를 통과시키는 배플(baffle)을 포함하며,상기 캐비티의 바닥에는 상기 복수의 유출구들이 마련되고, 상기 제1 관통 홀들 및 상기 제2 관통 홀들이 상기 캐비티 바닥에 대향하도록 상기 인젝트 버퍼와 상기 배플은 상기 캐비티에 순차적으로 삽입되고,상기 제1 관통 홀들 각각의 면적은 상기 제2 관통 홀들 각각의 면적보다 크고, 상기 유출구들 각각의 면적보다는 작은 에피텍셜 반응기
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제1항에 있어서,격벽에 의하여 서로 격리되고, 상기 제2 관통 홀들을 통과한 가스를 통과시키는 복수의 구획들을 포함하는 인서트(insert)를 더 포함하며,상기 제1 관통 홀들 각각은 상기 복수의 구획들 중 대응하는 어느 하나에 정렬하는 에피텍셜 반응기
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제2항에 있어서,상기 복수의 구획들을 통과한 가스를 상기 반응실로 유도하는 단차부를 갖는 라이너(liner)를 더 포함하는 에피텍셜 반응기
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제2항에 있어서,상기 복수의 구획들 각각의 개구 면적은 상기 제1 관통 홀의 개구 면적과 상기 제2 관통 홀의 개구 면적보다는 크고, 상기 복수의 유출구들 각각의 개구 면적보다는 작은 에피텍셜 반응기
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제1항에 있어서,상기 인젝트 캡은 서로 격리되는 적어도 2개 이상의 부분들을 포함하며,상기 복수의 유출구들 중 어느 하나는 적어도 2개 이상의 부분들 중 대응하는 어느 하나에 마련되는 에피텍셜 반응기
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제5항에 있어서,상기 인젝트 캡의 타면으로부터 상기 캐비티의 바닥 사이의 공간은 상기 제1 내지 제3 부분들로 구분되는 에피텍셜 반응기
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제6항에 있어서,상기 배플의 일면은 상기 인젝트 버퍼와 접촉하고, 상기 배플의 타 면은 상기 인젝트 캡의 일면과 동일 평면에 위치하는 에피텍셜 반응기
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제1항에 있어서,상기 제2 관통 홀과 상기 제1 관통 홀 간의 비율은 1:5 ~ 1:20인 에피텍셜 반응기
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제2항에 있어서,상기 복수의 구획들 각각에 대응되는 상기 제2 관통 홀의 수는 상기 복수의 구획들 각각에 대응되는 상기 제1 관통 홀의 수보다 많은 에피텍셜 반응기
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