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태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015071961
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요약 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판의 일면 위에 터널링층을 형성하는 단계; 상기 터널링층 위에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 위에 배리어 부재를 사이에 두고 적어도 일부가 이격되는 제1 불순물층 및 제2 불순물층을 형성하는 불순물층 형성 단계; 및 상기 제1 불순물층에 포함되는 제1 도전형 불순물과 상기 제2 불순물층에 포함되는 제2 도전형 불순물을 상기 반도체층으로 확산시켜 상기 반도체층에 상기 제1 불순물층에 대응하는 제1 도전형 영역 및 상기 제2 불순물층에 대응하는 제2 도전형 영역을 형성하는 도핑 단계를 포함한다. 상기 반도체층에서 상기 배리어 부재에 대응하는 영역에 배리어 영역이 위치하여 상기 배리어 영역에 의하여 상기 제1 도전형 영역과 상기 제2 도전형 영역의 적어도 일부가 이격된다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/06 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020130085962 (2013.07.22)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-2082880-0000 (2020.02.24)
공개번호/일자 10-2015-0011119 (2015.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20200228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.20)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심구환 대한민국 서울특별시 서초구
2 박현정 대한민국 서울특별시 서초구
3 최정훈 대한민국 서울특별시 서초구
4 최민호 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0657236-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0717046-31
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0060535-88
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0701849-49
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1221888-71
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-1221889-16
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0939641-19
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.01.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0096756-43
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0096757-99
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0118326-87
13 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2020.02.24 수리 (Accepted) 2-1-2020-0141014-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판의 일면 위에 터널링층을 형성하는 단계;상기 터널링층 위에 진성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 진성 반도체층 위에 절연 물질을 포함하는 배리어 부재를 사이에 두고 적어도 일부가 이격되는 제1 불순물층 및 제2 불순물층을 형성하는 불순물층 형성 단계; 및 상기 제1 불순물층에 포함되는 제1 도전형 불순물과 상기 제2 불순물층에 포함되는 제2 도전형 불순물을 상기 진성 반도체층으로 확산시켜 상기 제1 불순물층에 대응하는 제1 도전형 영역 및 상기 제2 불순물층에 대응하는 제2 도전형 영역을 형성하는 도핑 단계를 포함하고,상기 불순물층 형성 단계와 상기 도핑 단계 사이에 상기 제1 불순물층, 상기 제2 불순물층 및 상기 배리어 부재를 덮는 외부 확산 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 배리어 부재가 상기 진성 반도체층 위에서 상기 제1 도전형 영역과 상기 제2 도전형 영역 사이에 해당하는 배리어 영역을 적어도 포함하도록 부분적으로 형성되며, 상기 도핑 단계에서, 상기 진성 반도체층에서 상기 배리어 부재에 대응하는 영역에 상기 제1 및 제2 도전형 불순물이 도핑되지 않은 상기 진성 반도체층의 부분으로 구성되는 상기 배리어 영역이 형성되어, 상기 배리어 영역에 의하여 상기 제1 도전형 영역과 상기 제2 도전형 영역의 적어도 일부가 이격되고,상기 배리어 부재 전체는 상기 제1 불순물층과 상기 제2 불순물층 사이에 배치되고, 상기 제1 도전형 영역, 상기 제2 도전형 영역 및 상기 배리어 영역이 동시에 형성되는 태양 전지의 제조 방법
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15 15
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16 16
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17 17
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