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지지부재;상기 지지부재 상에 배치되는 반사층;상기 반사층 상에 배치되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 배치되는 활성층 및 상기 활성층 상에 배치되는 제2 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 제2반도체층 상에 배치되어 상기 제2반도체층에 전류를 균일하게 확산시키는 투광성 전극층;적어도 상기 활성층과 상기 제2반도체층의 일부 영역이 제거되고 노출된 상기 제1반도체층의 상면에 배치되는 제1전극; 및상기 투광성 전극층 상에 배치되고 상기 제2반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극을 포함하고,상기 제1반도체층은 n형 도펀트로 도핑되고, 상기 제2반도체층은 p형 도펀트로 도핑되며,상기 발광구조물은 Si기판에서 성장된 것을 특징으로 하는 발광소자
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상기 지지부재는 Si를 포함하는 발광소자
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제2항에 있어서,상기 활성층과 상기 제2반도체층 사이에는 상기 활성층 보다 큰 밴드갭 에너지를 가지는 전자 차단층을 더 포함하는 발광소자
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제3항에 있어서,상기 제2반도체층 상면에는 요철구조가 형성되는 발광소자
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제4항에 있어서,상기 제1 및 제2반도체층은 GaN을 포함하는 발광소자
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제5항에 있어서,상기 반사층은,Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 Hf 중 적어도 하나 이상을 포함하는 발광소자
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제6항에 있어서,상기 반사층과 상기 제1반도체층의 사이에는 상기 반사층과 상기 제1반도체응을 접착시키는 본딩층을 더 포함하는 발광소자
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제7항에 있어서,상기 제1반도체층은 누설전류 차단층을 더 포함하고,상기 누설전류 차단층은, 상기 활성층에 인접하여 배치되고,AlGaN을 포함하여 압축 스트레스(compressive stress)를 가지는 복수의 제1층과, GaN을 포함하여 인장 스트레스(tensile stress)를 가지는 복수의 제2층이 서로 교번적으로 반복 적층되는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제8항에 있어서,상기 제1층은,Si로 도핑되고, 그 도핑농도는 1E17/cm3 내지 1E20/cm3 인 발광소자
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제9항에 있어서,상기 제1층 들의 도핑농도는,상기 활성층에 인접할 수록 큰 것을 특징으로 하는 발광소자
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제10항에 있어서,상기 제1층 들의 Al 조성은,상기 활성층에 인접할 수록 작은 것을 특징으로 하는 발광소자
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제11항에 있어서,상기 활성층은,적어도 우물층과;상기 우물층 보다 큰 밴드갭 에너지를 가지는 장벽층을 포함하는 발광소자
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제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 발광소자를 포함하는 조명 장치
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제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 발광소자를 포함하는 표시장치
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