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배선전극이 배치되는 하부기판;광을 생성하고 서로 이격되어 배치되는 복수의 발광소자; 및상기 하부기판과 상기 발광소자를 결합하는 몸체와, 상기 몸체의 내부에 분산되어 상기 하부기판과 상기 발광소자를 전기적으로 연결하는 도전체를 포함하는 접착부를 포함하고,상기 복수의 발광소자는,적, 녹 및 청색 빛을 발하는 레드, 그린 및 블루 발광소자들이 하나의 화소영역(P)을 형성하고,상기 접착부의 몸체는 상기 복수의 발광소자의 측면 및 하부면의 적어도 일부를 감싸게 형성되며, 상기 접착부의 몸체는 상기 복수의 발광소자 중 어느 하나에서 인접한 발광소자로 진행되는 빛을 차단하는 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치
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제1항에 있어서,상기 발광소자는,제1도전형 반도체층;상기 제1도전형 반도체층 상에 위치하는 활성층; 및상기 활성층 상에 위치하는 제2도전형 반도체층;을 포함하는 표시장치
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제2항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제1전극;상기 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제2전극을 더 포함하고,상기 제1전극은 제1도전형 반도체층의 하면에 배치되고,상기 제2전극은 상기 제1도전형 반도체층과 상기 활성층이 제거되고 노출된 제2도전형 반도체층의 하면에 배치되는 표시장치
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제3항에 있어서,상기 접착부의 몸체는 상기 제1전극과 제2전극을 감싸는 표시장치
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제4항에 있어서,상기 제1전극과 제2전극은 상기 도전체들 중 적어도 일부와 접하는 표시장치
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제1항에 있어서,상기 접착부의 몸체는 상기 발광소자에서 발생되는 광을 흡수하는 비투과성 합성수지를 포함하는 표시장치
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제7항에 있어서,상기 레드 발광소자는,(AlXGa1-X)0
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제7항에 있어서,상기 그린 발광소자는,GaP의 조성식을 가지는 표시장치
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제7항에 있어서,상기 블루 발광소자는,InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 표시장치
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제2항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층의 하면에는 반사층이 형성되며,상기 반사층은,적어도 제1 굴절율을 가지는 제1층 및 상기 제1 굴절율과 상이한 제2 굴절율을 가지는 제2층을 포함하는 표시장치
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제2항에 있어서,상기 활성층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에는 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층 보다 큰 밴드갭 에너지를 가지는 전자차단층이 형성되는 표시장치
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제1항에 있어서,상기 몸체는,접착성을 가지는 물질을 포함하는 표시장치
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제1항에 있어서,상기 몸체는,유동성을 가지고, 상온, 고온 및 촉매 분위기 중 어느 하나에서 경화되는 것을 특징으로 하는 표시장치
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제1항에 있어서,상기 몸체는,블랙(Black) 색을 가지는 표시장치
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제1항에 있어서,상기 배선전극은상기 발광소자 방향으로 돌출되어 형성되는 표시장치
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레드 발광소자, 그린 발광소자 및 블루 발광소자의 발광 구조물이 성장되도록 레드 발광소자들, 그린 발광소자들 및 블루 발광소자들을 별도로 성장기판에서 성장시키는 단계;상기 레드 발광소자의 발광구조물에서 상기 레드 발광소자들의 적어도 일부를 제거하는 단계;상기 레드 발광소자의 발광구조물의 제거된 영역에 화소영역(P)에 대응되도록, 상기 그린 발광소자들 및 상기 블루 발광소자들을 접합하는 단계;배선전극이 배치된 하부기판 상에 접착부를 배치하는 단계;발광소자와 성장기판 세트를 상기 배선전극과 얼라이먼트한 후, 상기 접착부에 가압하면서, 열 또는 촉매를 가하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법
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제18항에 있어서,상기 성장기판 상에는 버퍼층이 성장하며, 상기 접착부가 경화되면, 상기 성장기판과 버퍼층은 제거되는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법
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제18항에 있어서,상기 레드 발광소자들, 그린 발광소자들 및 블루 발광소자들은 상기 화소영역(P)을 형성하고, 무기물 반도체 재료에서 선택된 물질을 포함하는 표시장치 제조방법
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