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기판을 준비하는 단계;상기 기판에 Shadow mask를 도입하는 도입 단계;상기 Shadow mask가 도입된 기판에 하부 전극을 증착하는 하부 전극층 증착 단계;상기 하부 전극층을 평탄화하는 평탄화 단계;상기 평탄화된 하부 전극층에 유기물을 증착하는 유기물층 증착 단계; 및 상기 유기물층에 상부 전극을 증착하는 상부 전극층 증착 단계를 포함하며;상기 평탄화 단계는 열처리 및 플라즈마 처리가 동시에 수행되어 이루어지되,상기 열처리는 250 ~ 400의 범위에서 수행되고,상기 플라즈마 처리는 플라즈마 파워가 400 ~ 600W 범위의 아르곤(Ar) 플라즈마 처리 및 플라즈마 파워가 100 ~ 200W 범위의 산소 플라즈마 처리 중 하나 이상을 수행하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 평탄화된 하부 전극층에 절연막을 증착하는 절연막층 증착 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 절연막은 PI(Polyimide), Al2O3 , SiO2 및 SiNx 절연막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 하부 전극층은 ITO(Indium Tin Oxide) 박막층인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 제조 방법으로 제조된 유기 발광 소자
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