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비정질탄소지지막을이용한X-선리소그라피마스크의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073416
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01)
출원번호/일자 1019880009547 (1988.07.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0046402-0000 (1991.11.26)
공개번호/일자 10-1990-0002403 (1990.02.28) 문서열기
공고번호/일자 1019910006741 (19910902) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.07.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재신 대한민국 대전시서구
2 강진영 대한민국 대전시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1988-0055481-89
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1988.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1988-0055482-24
3 특허출원서
Patent Application		 1988.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1988-0055480-33
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1991.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0031268-02
5 등록사정서
Decision to grant		 1991.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0031270-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

X-선 마스크 제조방법에 있어서, 실리콘이나 석영유리 웨이퍼(101)위에 플라즈마 증착법으로 비정질 탄소막(102)을 형성한 후 상기 웨이퍼(101) 뒷면에 에칭 마스크용으로 절연막(104)을 증착하고, 상기 후면 절연막(104)을 패턴하여 식각해내고 수산화칼륨 용액으로 상기 웨이퍼(104)를 습식 식각하며, 상기 탄소막(102)위에 금 또는 텅스텐 금속막(105)을 증착한 후 그위에 레지스트 패턴(106)을 형성한 다음 식각하여 집적회로 패턴을 형성한 것을 특징으로 하는 비정질탄소 지지막을 이용한 X-선 리소그라피 마스크의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 비정질 탄소막(102)증착은 반응기체로 메탄이나 에탄을 이용하고 증착온도 및 기체압력, 전력을 조절하여 탄소박막의 금지대 폭이 2

3 3

제1항에 있어서, 실리콘 웨이퍼(101)위에 응력보상막(103)과 탄소막(102)을 적층으로 형성하여 상기 탄소막(102)의 압축응력을 보상하도록 한 것을 특징으로 하는 비정질탄소 지지막을 이용한 X-선 리소그라피 마스크의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02047824 JP 일본 FAMILY
2 JP06009183 JP 일본 FAMILY
3 US04998267 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP1882710 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2047824 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP6009183 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JPH0247824 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JPH069183 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US4998267 US 미국 DOCDBFAMILY
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