맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

고전자이동도트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073422
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/80 (2006.01) H01L 21/22 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1019890012067 (1989.08.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0062991-0000 (1993.06.23)
공개번호/일자 10-1991-0005395 (1991.03.30) 문서열기
공고번호/일자 1019930002319 (19930329) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1989.08.24)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이재진 대한민국 대전시서구
2 맹성재 대한민국 대전시동구
3 김진섭 대한민국 대전시동구
4 마동성 대한민국 미국*****뉴욕

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1989.08.24 수리 (Accepted) 1-1-1989-0070908-14
2 특허출원서
Patent Application		 1989.08.24 수리 (Accepted) 1-1-1989-0070907-79
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1989.08.24 수리 (Accepted) 1-1-1989-0070909-60
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1992.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0037400-18
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1992.07.31 수리 (Accepted) 1-1-1989-0070910-17
6 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 1992.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0037401-53
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1992.08.31 수리 (Accepted) 1-1-1989-0070911-52
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1992.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1989-0070912-08
9 의견서
Written Opinion		 1992.10.31 수리 (Accepted) 1-1-1989-0070913-43
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1992.10.31 수리 (Accepted) 1-1-1989-0070914-99
11 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0037402-09
12 등록사정서
Decision to grant		 1993.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0037404-90
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

화합물 반도체를 이용하여 고전자 이동도 트랜지스터를 제작함에 있어서, 고농도로 3차원 도핑된 알루미늄·갈륨·비소·소오스층(4)의 상면에 도핑하지 않은 알루미늄·갈륨·비소층(5)을 형성하여 그 위에 쇼트키 접촉 게이트(7)를 형성하도록 함을 특징으로 하는 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 알루미늄·갈륨·비소 층(5)은 알루미늄의 조성비가 0∼0

3 3

두께가 100Å∼400Å으로 제어되는 도핑하지 않은 갈륨·비소의 채널층(12)의 아래 위에 알루미늄·갈륨·비소·소오스층(10), (14)과 알루미늄·갈륨·비소층(11),(13)을 순차적으로 형성함을 특징으로 하는 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법

4 4

제3항에 있어서, 갈륨비소의 채널층(12)의 위쪽에는 5×1017개/cm3 이하로 도핑한 알루미늄·갈륨·비소·소오스층(14)을 형성하면서 아래쪽에는 5×1017개/cm3 이상 높게 도핑한 알루미늄·갈륨·비소·소오스층(10)을 형성하여 이차원 전자가스의 농도가 증가되도록함을 특징으로 하는 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.