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서로다른 전원전압을 필요하는 두 DCFL의 사이에 연결하는 레벨이동회로에 있어서, 입력단(VIN)과 게이트가 연결된 증가형 MESFET(J11)와, 증가형 MESFET(J11)의 소오스에 드레인 및 게이트가 동시에 연결된 공핍형 MESFET(J12)와, 공핍형 MESFET(J12)의 소오스와 출력단(Vout)에 드레인이 연결되고 게이트와 소오스 사이에 분할저항(R1)(R2)을 연결하여서 구성됨을 특징으로 하는 레벨이동회로
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제1항에 있어서, 증가형 MESFET(J11)의 소오스와 공핍형 MESFET(J12)의 드레인의 사이에 저항(R3)을 연결하여 임계전압 변동 효과를 줄여서 다음단 DCFL에 공급하도록 한 레벨이동회로
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제1항에 있어서, 증가형 MESFET(J13)의 소오스에 저항(R4)을 연결하여 증가형 MESFET의 임계전압 변동 효과를 줄여서 다음단 DCFL에 공급하도록 한 레벨이동회로
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제1항에 있어서, 증가형 MESFET(J11)의 소오스와 공핍형 MESFET(J12)의 드레인 사이에는 저항(R3)을 연결하면서 증가형 MESFET(J13)의 소오스에 저항(R4)을 연결하여 임계전압 변동효과를 줄여서 다음단 DCFL에 공급하도록 한 레벨이동회로
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제1항에 있어서, 증가형 MESFET(J13)의 게이트에 값이 큰 저항(R5)만을 접지에 묶어서 사용하는 레벨이동회로
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제1항에 있어서, 공핍형 MESFET(J13)와 직렬로 다이오드(D11)를 연결하여 보다 큰 논리진폭을 필요로 하는 경우에 사용하도록 한 레벨이동회로
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