기판상에 활성층(7)과 클래드층(4)을 역메사(reverse mesa)형으로 형성하고 그 측면에 전류차단층(3,6)과 절연막(2)을 형성하며, 그 위에 전극(1)을 형성한 구조로된 매립형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 기판상에 상기 활성층(7)과 클래드층(4)을 1차 액상 에피 성장 시킨후 상기 클래드층(4)상에 SiO2 마스크선(8)을 형성하는 제1공정, 상기 SiO2 마스크선(8)을 마스크로하여 식각용액을 사용하여 식각해 내어 역메사 구조를 형성하는 제2공정, 상기 클래드층(4)을 선택적으로 식각하는 염산계의 식각용액을 사용하여 식각해 내어 상기 활성층(7)을 볼록 튀어나오게 하는 제3공정, 및 상기 활성층(7)의 볼록 튀어나온 부분을 2차 액상 결정 성장시에 자연스럽게 되녹임 되도록 하는 제4공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 활성층(7)과 클래드층(4)은 InGaAsP/InP계, GaAlAs/GaAs계, 및 InGaAs/InP계가 속한 III-V족 화합물 반도체 그룹중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 활성층(7)과 클래드층(4)은 HgCdTe/CdTe계, 및 PbSnTe계가 속한 II-VI족 화합물 반도체 그룹중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 제4공정은 상기 활성층(7)의 볼록 튀어나온 부분을 액상 에피층 성장용 흑연 보트의 구멍하나를 되녹임을 위한 용액에 할당하도록 하는 수행되는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 제4공정은 상기 활성층(7)의 볼록 튀어나온 부분을 상기 전류 차단층(3,6)의 성장을 위한 용액으로 되녹임을 동시에 행하도록 수행되는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드의 제조방법

기판상에 활성층(7)과 클래드층(4)을 역메사 형으로 형성하고, 그 측면에 전류차단층(3,6)과 절연막(2)을 형성하며, 그 위에 전극(1)을 형성한 구조로된 매립형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 기판상에 상기 활성층(7)과 클래드층(4)을 1차 액상 에피 성장시킨 후 상기 클래드층(4)상에 SiO2 마스크선(8)을 형성하는 제1공정, 상기 활성층(7)과 클래드층(4)을 역메사형으로 식각할때 상기 활성층(7)보다 상기 클래드층(4)의 식각속도가 빠른 식각용액을 사용하여 상기 활성층(7)을 볼록 튀어나오게 하는 제2공정, 및 상기 활성층(7)의 볼록 튀어나온 부분을 2차 액상 결정시에 자연스럽게 되녹임 되도록 하는 제3공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드의 제조방법

제6항에 있어서, 상기 활성층(7)과 클래드층(4)은 InGaAsP/InP계, GaAlAs/GaAs계, 및 InGaAlAs/InP계가 속한 V족 화합물 반도체 그룹중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드의 제조방법

제6항에 있어서, 상기 활성층(7)과 클래드층(4)은 HgCdTe/CdTe계, 및 PbSnTe계가 속한 II-VI족 화합물 반도체 그룹중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드의 제조방법

제6항에 있어서, 상기 제3공정은 상기 활성층(7)의 볼록 튀어나온 부분을 액상 에피층 성장용 축연보트의 구멍하나를 되녹임을 위한 용액에 할당하도록 하여 수행되는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드의 제조방법

제6항에 있어서, 상기 제3공정을 상기 활성화(7)의 볼록 튀어나온 부분을 상기 전류차단층(3,6)의 성장을 위한 용액으로 되녹임을 동시에 행하도록 수행되는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드의 제조방법