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다결정실리콘박막증착용저압화학증착장치의반응기

  • 기술번호 : KST2015073520
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/223 (2006.01)
CPC C23C 16/52(2013.01) C23C 16/52(2013.01) C23C 16/52(2013.01)
출원번호/일자 1019870015003 (1987.12.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1989-0011031 (1989.08.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 2019910000170;
심사청구여부/일자 Y (1987.12.26)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상호 대한민국 대전시동구
2 장원익 대한민국 대전시유성구
3 전치훈 대한민국 대구시남구
4 유형준 대한민국 충남대전시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1987.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1987-0088040-96
2 특허출원서
Patent Application
1987.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1987-0088038-04
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1987.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1987-0088039-49
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1988.09.13 수리 (Accepted) 1-1-1987-0088041-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1990.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0051984-08
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1990.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1987-0088042-87
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1990.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0051985-43
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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다결정 실리콘 박막 증착용 저압 화학 증착 장체에 있어서 프로세스 히터(2) 내에 프로세스 튜브(2)를 설치함과 아울러 플레지(3)를 장착하고 튜브 내부에 캔티레버 지지대(4) 상의 웨이퍼 보트(5)에 올려 놓은 웨이퍼(6)를 로딩시켜 히터(1)에 의해 등온으로 유지된 증착 영역에 로딩한 후 진공 펌프(12)로써 방응기(가) 내부를 저압으로 유지함에 있어 질량 유량 조절기(11)를 통하여 가스분산인젝터(9)속으로 반응 가스를 주입 하도록 한 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 증착용 저압 화학 증착장치의 반응기

2 2

제1항에 있어서, 한개의 질량유량조절기(11)를 사용하여 반응가스를 가스분산 인젝터(9) 표면에 반응기 앞쪽으로 조밀하게 천설된 토출공(9a)으로만 주입시켜 웨이퍼의 균일도와 높은 증착속도로 증착할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 증착용 저압 화학 증착장치의 반응기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.