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금속열처리에의한고품위다결정실리콘박막형성방법

  • 기술번호 : KST2015073538
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 고집적 회로의 제조 방법에 관한 것으로 특히 급속 열처리 공정에 의해 고품위 다결정 실리콘 박막을 구현시키는 방법에 관한 것이다.반도체 소자에서는 이온의 활성화 및 재분포, 결정 입자의 크기 변화에 따라 박막의 전기적,구조적 특성이 변하기 때문에 급속 열처리를 통해 기판의 온도 영향 및 불순물을 최소화하고 활성화와 재결정화를 동시에 수행하여 고품위 다결정 실리콘 박막을 제조하고자 한다.다결정 규소 박막을 형성하는 방법을, 우선 초기에 비정질 규소를 형성하고, 붕소와 인을 불순물로 이온 주입하며, 이 비정질 규소를 1000℃ 이상의 고온에서 매우 짧은 열처리하여, 이온 주입 불순물 원자들의 편석에 의한 전기 저항의 증가없이 이온 주입 불순물의 활성화를 수행하고, 비정질 규소의 완전한 재결정화를 동시에 수행하여 고품위의 박막으로 변환시키게 된다. 이러한 급속 열처리에 의한 방법으로 기판에의 온도 영향과 불순물의 재분포를 최소화시키고, 규소의 외부 확산에 의한 힐록(hillock) 발생을 최소화시키게 된다.
Int. CL H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/32055(2013.01)
출원번호/일자 1019880017972 (1988.12.30)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0048168-0000 (1992.01.21)
공개번호/일자 10-1990-0010949 (1990.07.11) 문서열기
공고번호/일자 1019910008979 (19911026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.12.30)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤태 대한민국 충남대전시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울특별시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1988.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104483-19
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1988.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104485-00
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104484-54
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1990.01.19 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104486-45
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1990.02.02 수리 (Accepted) 1-1-1990-9001955-11
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1991.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0057906-21
7 등록사정서
Decision to grant		 1992.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0057908-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

급속 열처리에 의해 다결정 실리콘 박막을 형성하는 방법에 있어서, 초기에 비정질 실리콘을 형성하고, 이 비정질 실리콘을 1000℃이상의 고온에서의 매우 짧은 열처리로, 기판에의 온도 영향과 불순물의 재분포를 최소화시키고 실리콘 외부확산에 의한 힐록크(hillock) 발생을 최소화시키면서 고품위의 다결정 실리콘으로 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리에 의한 고품위 다결정 실리콘 박막 형성방법

2 2

급속 열처리에 의해 다결정 실리콘 박막을 형성하는 방법에 있어서, 초기에 비정질 실리콘을 형성하고, 붕소와 인을 불순물로 이온주입하며, 이 비정질 실리콘을 1000℃이상의 고온에서의 매우 짧은 열처리로, 이온주입 불순물 원자들의 편석에 의한 전기 저항의 증가없이 이온주입 불순물의 활성화를 수행하고 비정질 실리콘의 완전한 재결정화를 동시에 수행하여 고품위의 다결정 실리콘으로 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리에 의한 고품위 다결정 실리콘 박막 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.