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트랜지스터제조방법

  • 기술번호 : KST2015073561
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/70 (2006.01)
CPC H01L 29/1004(2013.01) H01L 29/1004(2013.01) H01L 29/1004(2013.01) H01L 29/1004(2013.01)
출원번호/일자 1019880006395 (1988.05.31)
출원인 현대반도체 주식회사, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0113325-0000 (1997.03.21)
공개번호/일자 10-1989-0017812 (1989.12.18) 문서열기
공고번호/일자 1019960012579 (19960923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.05.12)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대반도체 주식회사 대한민국 충북 청주시 흥덕구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영한 대한민국 경북영주시가

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남사준 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 혜천빌딩 ****호 탑국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지반도체주식회사 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1988.05.31 수리 (Accepted) 1-1-1988-0037320-25
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1988.05.31 수리 (Accepted) 1-1-1988-0037321-71
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1990.11.02 수리 (Accepted) 1-1-1988-0037322-16
4 출원심사청구서
Request for Examination
1993.05.12 수리 (Accepted) 1-1-1988-0037323-62
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1996.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0021058-31
6 등록사정서
Decision to grant
1996.10.04 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1988-0021059-87
7 등록사정서
Decision to grant
1996.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0021060-23
8 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1988-0037324-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.08.02 수리 (Accepted) 4-1-1999-0102064-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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베이스 영역을 콜렉터 영역위에 형성한 후 베이스 영역을 N 에피텍셜층으로 확산시키는 트랜지스터의 제조공정에 있어서, 베이스 영역(2)위에 형성된 산화실리콘층(3)을 가장자리가 가장 두껍고 안쪽으로 갈수록 얇게 되도록 경사에칭하는 제1단계와 에미터 불순물을 이온주입하여 이온주입된 에미터(4) 불순물을 베이스 영역(2)에 확산하는 제2단계로 된 트랜지스터 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.