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웨이퍼(100) 표면에 N-매몰층(110)과 에피층(111)을 성장하고 수직도랑을 형성한 후 그 안을 산화막(108)과 보론으로 도우핑된 다결정 실리콘(109)으로 채워 각 소자들을 격리시키는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, (a)상기 산화막(108)과 다결정 실리콘(109)을 사용하여 소자를 격리시킨 후 N-콜렉터(107)를 형성하는 공정과, (b)마스크 작업에 의해 에미터 영역을 정의한 다음 건식식각 후 습식식각법으로 산화막을 식각하고 다결정 실리콘(117)을 도포시키는 공정과, (c)다결정 실리콘 막을 식각하여 P-비활성 베이스영역(118)을 형성하는 공정과, (d)P-다결정 실리콘의 베이스 전극을 정의하기 위하여 마스크 작업에 이온 건식식각 후 BSG(119)를 웨이퍼 전면에 도포시켜 급속열처리 방법을 통해 P-활성 베이스를 만드는 공정과, (e)P-활성 베이스영역을 형성시킨 후 BSG막을 건식식각하여 에미터와 베이스 접점을 BSG로 격리(120)시켜 다결정 실리콘을 저압화학 증착법에 의해 도포함으로써 에미터 접함을 형성시키는 공정과를 구비한 후 통상의 접점정의(124) 및 금속층 증착과정을 거쳐 초고속으로 요하는 통신용 반도체 집적회로를 완성시킨 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, N-콜렉터(107) 형성공정은 소자격리 완료 후 N-콜렉터 마스크 작업 후 인을 이온 주입하여 N-매몰층까지 확산시키고 활성영역위에 남아 있는 마스크층을 모두 제거한 다음 웨이퍼 전면에 1500Å의 산화막(114)과 보론이 이온 주입된 P-다결정 실리콘 막을 저압화학 증착법으로 입혀주도록 한 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 다결정 실리콘(117)을 도포시키는 공정에서 다결정 실리콘(117)아래의 산화막은 약 3000Å 정도의 측면 식각효과를 나타내어 P-비활성 베이스영역을 정의해 준 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, P-비활성 베이스영역(118) 형성공정에서 1500Å의 다결정 실리콘 막을 습식산화법에 의해 완전히 산화시킨 후 습식식각하며, 다결정 실리콘 아래의 약 3000Å폭 공간은 산화막 형성중 다결정 실리콘으로 그대로 남도록 한 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, P-활성 베이스를 만드는 공정에서 베이스 접합은 금속열처리 공정으로 0
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제1항에 있어서, 에미터 접합을 형성시키는 공정은 비소를 이온 주입하여 N-에미터 확산원(121)을 만든 다음 급속열처리 공정을 함으로써 0
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제6항에 있어서, 에미터 접합(122)형성 후 에미터전극의 저항을 줄이기 위하여 티타늄 폴리사이드 공정(123)을 하게 되는데 이 공정중 비소의 바깥확산양이 매우 크므로 TiSi 2
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