[KST2015073586][한국전자통신연구원] |
반도체장치제조방법 |
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[KST2015074220][한국전자통신연구원] |
이종접합바이폴라트랜지스터의제조방법 |
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[KST2015084321][한국전자통신연구원] |
광학적 한계에 구속되지 않는 반도체 소자의 형성방법 및 그 제조 장치 |
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[KST2015099417][한국전자통신연구원] |
쌍극자 트랜지스터 및 그 제조방법 |
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[KST2015075239][한국전자통신연구원] |
규소/규소게르마늄 쌍극자 트랜지스터 제조방법 |
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[KST2015076388][한국전자통신연구원] |
자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치 및 그 제조방법 |
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[KST2015096397][한국전자통신연구원] |
이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 |
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[KST2015096560][한국전자통신연구원] |
혼성 베이스 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 구조 및그 제조 방법 |
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[KST2014032293][한국전자통신연구원] |
3차원 MEMS 구조체 및 그 제조 방법 |
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[KST2015073542][한국전자통신연구원] |
4메가이상의DRAM용BSD셀 |
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[KST2015073561][한국전자통신연구원] |
트랜지스터제조방법 |
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[KST2015073713][한국전자통신연구원] |
자기정렬된실리사이드전극을갖는단일다결정실리콘바이폴라소자의제조방법 |
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[KST2015076178][한국전자통신연구원] |
초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치 및 그 제조방법 |
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[KST2015073535][한국전자통신연구원] |
복합형반도체소자의구조및제조방법 |
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[KST2015073971][한국전자통신연구원] |
상향구조바이폴라트랜지스터및그제조방법 |
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바이어스 안정화 회로 |
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[KST2015095598][한국전자통신연구원] |
바이폴라 트랜지스터 기반의 비냉각형 적외선 센서 및 그의제조 방법 |
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[KST2015073569][한국전자통신연구원] |
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[KST2015074931][한국전자통신연구원] |
자동 정의된 베이스 전극을 갖는 바이폴라 트랜지스터구조및그제조방법 |
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[KST2015075238][한국전자통신연구원] |
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단파장용 바이폴라 광트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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[KST2015088507][한국전자통신연구원] |
기둥형바이폴라트랜지스터및그의제조방법 |
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[KST2015093534][한국전자통신연구원] |
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[KST2015076581][한국전자통신연구원] |
컬렉터 단결정 박막의 과성장을 이용한 쌍극자 트랜지스터 제조방법 |
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[KST2015084530][한국전자통신연구원] |
화합물 반도체 바이폴라 트랜지스터 및 그 형성방법 |
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[KST2015096136][한국전자통신연구원] |
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[KST2015098665][한국전자통신연구원] |
트랜지스터제조방법 |
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[KST2015075240][한국전자통신연구원] |
초 자기 정렬 바이폴러 트랜지스터의 제조방법 |
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[KST2015075320][한국전자통신연구원] |
평면공명관통다이오드 |
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[KST2015094305][한국전자통신연구원] |
선택적 컬렉터 박막 성장을 이용한 초자기정렬 바이폴러 트랜지스터의 제조방법 |
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