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이중절연구조를가진이중금속배선공정방법

  • 기술번호 : KST2015073583
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 23/53295(2013.01) H01L 23/53295(2013.01) H01L 23/53295(2013.01)
출원번호/일자 1019860006016 (1986.07.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0030055-0000 (1989.11.01)
공개번호/일자 10-1988-0002266 (1988.04.30) 문서열기
공고번호/일자 1019890002306 (19890628) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1986.07.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 대전시중구
2 신웅호 대한민국 대전시동구
3 유현규 대한민국 대전시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1986.07.24 수리 (Accepted) 1-1-1986-0033963-00
2 특허출원서
Patent Application		 1986.07.24 수리 (Accepted) 1-1-1986-0033962-54
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1986.07.24 수리 (Accepted) 1-1-1986-0033964-45
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1989.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1986-0022582-43
5 등록사정서
Decision to grant		 1989.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1986-0022584-34
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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1차 산화막 절연체(18)의 두께가 1000Å~4000Å인 플라즈마 산화막은 인의 농도가 3%미만이며 증착온도가 300℃이하에서 증착되고, 2차 절연체로 포토니스(19)를 이용하되 4~5㎛ 두께를 최초 코팅한 후 180℃에서 30분간 질소 분위기에서 예비열처리를 하고 이어 초음파 용기를 이용하여 현상하며 180℃에서 460℃까지 순차적으로 질소 분위기에서 열처리하여 최종 두께를 2~3㎛로 조정하며 산소 플라즈마로 앳싱을 거칭뒤 산화막 절연체(18)를 건식 엣칭하고 이차금속을 증착하는 이중 절연구조의 이중 금속 배선 공정방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.