웨이퍼 표면에 비소를 이온 주입하여 N+매입층(15)을 형성시키고 그 위에 인이 도핑된 1

제1항에 있어서, 남아있는 다결정 실리콘층(25)제거시 습식 부식 시간을 변화시킴으로써 다결정 실리콘층에 의한 에미터(20)의 폭을 조정하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법

제1항 또는 제2항에 있어서, 2500Å두께의 2차 산화막(27)을 저압 증착법으로 증착한 다음 활성 이온부식을 통해 실리콘 양쪽 측면(28)을 제외한 나머지 수평면의 2차 산화막(27)을 제거하되, 1차 산화막(23)은 질화막(24)으로 손상을 방지하여 개별소자 전기적 특성을 개선하여 웨이퍼 전체의 수율까지 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 제조 방법에서 3000Å의 다결정 실리콘막(29)을 저압 증착시킨 후 보론을 열 확산 혹은 이온 주입방법으로 도핑시켜 P+형으로 만들어준 다음 열처리 함으로써 저항이 낮은 P+비활성 베이스 영역(26)을 만들거나, 이온주입 방법에 의해 보론을 주입하여 열 처리함으로써 P+비활성 베이스영역을 먼저 만든 다 음 금속 증착에 의해 베이스 전극을 만들어주게한 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법