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전자의 파동성을 이용한 양자간섭 트랜지스터에 있어서, 상기 트랜지스터의 활성영역이 큰 에너지갭을 갖는 AlGaAs층 사이에 작은 에너지갭을 갖는 GaAs층이 삽입된 AlGaAs/GaAs/AlGaAs 이중 양자우물 구조로 구성되고, 상기 활성영역의 채널은 상기 GaAs양자우물의 공간적 전도띠를 이용하여 활성영역의 소오스와 드레인 사이에 서로 다른 두개의 전자통로를 갖도록 형성되며, 상기 활성 영역의 게이트는 상기 채널을 가로지르는 수직한 방향으로 채널의 한쪽전자통로의 상부에만 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 게이트의 양자간섭 트랜지스터
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반절연 GaAs기판(1)상에 MBE나 혹은 MOCVD 기법을 이용하여 GaAs 버퍼층(2)과 제1AlGaAs 장벽층(3)과 GaAs채널층(4)과 제2AlGaAs 장벽층(5) 및 GaAs보호층(6)을 순차로 성장시키는 제1공정과, PMMA막을 상기 GaAs보호층(6)상에 도포한 후 전자빔 리도그라피 기법을 이용하여 패턴을 형성하고 이어서 형성시킨 후 PMMA 구조를 형성하는 제2공정과, ECR 식각장치를 이용하여 기판의 도핑되지 않은 GaAs 단결정(2,4,6) 혹은 반절연 GaAs층(1)까지 식각한 후 상기 PMMA막을 제거하는 제3공정과, 상기 제3공정이 완료된 후 시료위에 상기 PMMA막을 재차 도포하고 패턴을 형성한 후 Au/Ge(88/12)의 합금과 Ni 및 Au를 순차로 증착시키고, 리프트 오프 기법으로 상기 PMMA막을 제거하여 소오스 및 드레인 오옴접촉을 형성하는 제4공정과, 게이트 전극을 형성하고 다른쪽의 GaAs 보호층(6)으로 전자가 흐르는 것을 막기 위하여 양쪽 전자통로(P1,P2)의 상기 GaAs 보호층(6)의 중간부분을 제거하는 제5공정과, 상기 제5공정이 완료된 후에 시료표면의 산화방지와 표면전자의 표면안정화 및 각 단자(소오스, 드레인, 게이트)간의 전기적 절연을 위하여 RPECVD기법으로 SiO2 혹은 Si3N4를 증착하는 제6공정과, 상기 각 단자의 금속선의 연결을 위하여 SiO2 혹은 Si3N4를 식각하여 개구를 형성하는 제7공정과, 상기 각 단자로 부터 상기 전기 패드가 형성될 부분까지 상기 금속선을 연결하기 위하여 상기 각 단자부분과 상기 금속선이 놓여질 부분에 PMMA의 개구를 형성하는 제8공정과, 진공증착기를 이용하여 Al 혹은 Ti/Au를 도포하고 리프트 오프 방법으로 상기 PMMA를 제거함으로써 게이트 전극과 상기 각 단자와 상기 전기패드까지의 금속선을 형성하는 제9공정 및, 상기 제9공정이 완료된 후 포토레지스트를 도포하고 광학리소그라피 기법을 이용하여 상기 전기패드의 패턴을 형성하고 이어서 Al 혹은 Ti/Au를 진공증착시킨 후 리프트오프 기법으로 상기 포토레지스트를 제거하여 금속패드를 형성하는 제10공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자의 파동성을 이용한 수직형 게이트 양자간섭 트랜지스터의 제조방법
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