맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

고속광통신용PIN포토다이오드의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073592
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속 PIN포토다이오드를 제조하는 그 제조방법에 있어서, 종래의 PIN포토다이오드의 제조방법은 평면형 INnGaAs/InP 포토다이오드의 구조가 전방 입사형(Front-entry)으로 전극패드가 상당히 큰면적을 차지하고 있기 때문에 커패시턴스를 어느 수중이하로 줄이기가 어렵고, p-InP가 옴접촉특성이 좋지 않으므로 전극형성에 주의하여야 한다. 또는 본딩(전선:wite-bonding)시 충격에 의해 pn접합부의 결정성이 파괴되며 이 경우 상당히 큰 누설전류를 발생하므로 이 충격을 픕수하기 위해 p-면 전극을 배우 두껍게 형성하여야 하고, 이렇게 되면 제조공정이 매우 복잡하게 되는 문제점이 있다.본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 이루어진 것으로서 p-전극과 n-전극을 동시에 형성하여 고속 PIN 포토다이오드의 제조공정을 간단화하고 이에따라 제조단가의 저렴화를 실현하여 옴접촉특성을 향상시키게 하며, 또 본딩패드를 반절연 InP 기판 위에 형성하여 p-면 전극에 의한 커패시턴스가 발생하지 않도록 커패시턴스를 줄여 주므로써 전극본딩 및 패키징공정이 쉽게 이루어지게 하는 데 그 목적을 둔 것이다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 31/0296(2013.01) H01L 31/0296(2013.01) H01L 31/0296(2013.01)
출원번호/일자 1019910016479 (1991.09.20)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0081805-0000 (1995.01.25)
공개번호/일자 10-1993-0006829 (1993.04.22) 문서열기
공고번호/일자 1019940009594 (19941015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.09.20)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박찬용 대한민국 대전직할시대덕구
2 이용탁 대한민국 대전직할시중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1991.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1991-0092502-55
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1991-0092503-01
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1991-0092505-92
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1991-0092504-46
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0042044-22
6 등록사정서
Decision to grant		 1995.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0042045-78
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

고속 PIN포토다이오드를 제조하는 방법에 있어서, 반절연 InP기판(21) 위에 도핑농도가 높은 n+-InGaAs(InGaAsP) (22)를 성장시킨 후 도핑하지 않은 n+-InGaAs(23)을 성장시키고, 이 n--InGaAs(23) 위에 n-InP(InGaAsP) (24)를 성장한 후 포토리쏘그라피 및 에칭방법을 이용하여 제 3b 도와 같이 매사 에칭하고, (b)와 같이 메사 에칭한 후 p-면전극부(200) 패드가 n+-InGaAs(22) 위에 형성될 경우 p-면 전극부(200)를 형성할 부위를 에칭하여, 제 3d 도와 같이 pn접합을 Zn(또는 Cd) 등의 확산으로 형성하고, 확산공저이 끝난 웨이퍼는 무반사막을 위한 SiNx를 증착하고 n-면전극부(100)의 패드 접촉을 위해 제 3도의 (e) 와 같이 일부표면을 노출시킨 후 제 3f 도와 같이 옴접촉특성을 향상시키기 위하여 표면의 p-InP를 에칭하고, p-InP를 에칭한 후 리프트오프(lift off)에 의해 전극증착형성공정이 제 3g 도와 같이 최종소자의 구조로 형성되게 한 것을 특징으로 하는 고속 광통신용 PIN포토 다이오드의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 메사 에칭(제 3b 도)된 부분 위에 Zn(또는 Cd)의 확산으로 pn접합을 형성하여(제 3d, e 도) 양자의 효율을 증가시키고 누설전류를 감소시킨 후 p-전극과의 접촉할 부분의 InP를 에칭하여 옴접촉 저항을 감소시키고 전극형성공정을 1회로 줄여서 제조공정을 간단화하는 것을 특징으로하는 고속 광통신용 Pin포토다이오드의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 n+-InGaAs (또는 n+-InGaAsP)층의 성장에 의하여 포토다이오드의 n-면 전체에 균일한 전위를 공급하고, 또 음접촉특성향상을 위한 InP에칭 공정시 선택에칭이 가능하도록 하여 제조공정을 간단하게 하는 것을 특징으로 하는 고속 광통신용 PIN포토다이오드의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.