1 |
1
소오스 및 드레인 영역들이 게이트와 완전히 중첩되는 LDD구조의 CMOS장치를 제공하는 방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 실리콘 산화막(2)을 성장시키고 감광막(5)을 도포한 후 웰영역들을 정의하고 이어 상기 감광막(5)을 제거하고 웰 드라이브-인을 수행하여 n웰 영역 및 p웰 영역의 트윈웰(3, 4)을 형성하고 실리콘 산화막(6-1)을 적층하는 단계와, 상기 실리콘 질화막(6-1)을 트렌치 마스크로서 정의한 후 상기 실리콘 질화막(6-1)과 상기 실리콘 산화막(2) 및 상기 실리콘 기판(1)을 순차로 식각하여 격리용 트렌치(6)을 형성하는 단계와, 상기 격리용 트렌치(6) 내부에 제1산화막(8)을 성장시킨 후 LPCVD방법으로 제2산화막(9)을 적층하여 상기 격리용 트렌치(6)를 채우는 단계와, 래핑방법으로 상기 실리콘 산화막(2)의 표면까지 상기 제2산화막(9)을 깍아낸 후 이온주입을 수행하여 상기 N웰 영역(3)에는 p-확산영역(9)을 상기 P웰 영역(4)에는 n-확산영역(10)을 각각 형성하는 단계와, 상기 p- 및 n-확산영역들(9, 10)상에 제3산화막(11)을 적층하고 게이트 마스크로서 정의한 후 식각하고 이어 상기 제3산화막(11)의 양측면에 측벽 스페이서(12)를 형성하는 단계와, 상기 p- 및 n-확산영역들(9, 10) 및 상기 실리콘 기판(1)을 각각 순차로 식각하여 게이트용 트렌치(13)를 형성하고 nMOS 및 pMOS의 드레숄드 전압을 조절하기 위한 이온주입을 각각 수행하여 p-게이트 확산영역(14) 및 n-게이트 확산영역(14-1)을 형성하는 단계와, 열산화 방법으로 게이트 산화막(15)을 성장시킨후 폴리 실리콘(16)을 적층하여 상기 게이트용 트렌치(13)를 채우고 상기 제3산화막(11)의 표면까지 래핑방법으로 상기 폴리실리콘(11)을 깍아내는 단계와, 상기 제3산화막(11)을 제거하고 제4산화막(17)을 성장시킨 후 상기 게이트의 양측면에 게이트 측벽 스페이서(18)를 형성하고 이어 이온주입을 수행하여 nMOS 및 pMOS영역들에 각각 n+확산영역(19) 및 p+확산영역(19-1)을 형성하고 접합을 위한 열처리를 수행하는 단계 및, 표면 안정화를 위한 PSG 혹은 BPSG(20)를 도포하고 콘택부분을 정의한 후 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘디디 구조 씨모스 장치의 제조방법
|