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다층배선구조를갖는반도체장치의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073642
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다층배선구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로 실리콘기판(1)상에 있고 층간절연막(4)으로 격리되어 있는 제1차 금속층(2)과 제2차 금속층(6)사이의 전기적 접촉을 위한 필라(3)의 전면까지 식각하는 평탄화공정을 포함한 다층배선구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 필라(3)를 덮고있는 상기 층간절연막(4)사에 마스크로 소정패턴의 포토레지스트(5a)를 형성한 다음 상기 층간절연막(4)을 선택적 식각하여 상기 필라(3)위에 상기 개구부를 형성하는 공정과, 상기 포토페지스트(5a)를 제거한 다음 평찬화용 포토레지스트(5b)를 도포하는 공정 및. 상기 평찬화용 포토레지스트(5b)및 상기 충간절연막(4)을 상기 필라(3)의 전면까지 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76885(2013.01) H01L 21/76885(2013.01) H01L 21/76885(2013.01)
출원번호/일자 1019920005999 (1992.04.10)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0086193-0000 (1995.06.29)
공개번호/일자 10-1993-0022473 (1993.11.24) 문서열기
공고번호/일자 1019950003224 (19950406) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.04.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 모승기 대한민국 대전직할시유성구
2 윤용선 대한민국 대전직할시대덕구
3 이대우 대한민국 대전직할시서구
4 김보우 대한민국 대구직할시중구
5 류환배 대한민국 대전직할시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기통신공사 대한민국 서울특별시종로구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033636-82
2 특허출원서
Patent Application		 1992.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033635-36
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033638-73
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033637-27
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033639-18
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0010947-86
7 등록사정서
Decision to grant		 1995.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0010948-21
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판(1)상에 있고 층간절연막(4)으로 격리되어 있는 제 1 차 금속층(2)과 제 2 차 금속층(6) 사이의 전기적 접촉을 위한 필라(3)의 전면까지 식각하는 평탄화 공정을 포함하는 다층배선구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 필라(3)를 덮고 있는 상기 층간절연막(4)상에 마스크로 소정패턴의 포토레지스트(5a)를 형성한 다음 상기 층간절연막(4)을 선택적 식각하여 상기 필라(3)위에 상기 개구부를 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트(5a)를 제거한 다음 평탄화용 포토레지스트(5b)를 도포하는 공정 및, 상기 평탄화용 포토레지스트(5b) 및 상기 층간절연막(4)을 상기 필라(3)의 전면까지 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.