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대량생산이가능한평면형PIN포토다이오드의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073653
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제조방법이 간단하고 고속광통신용으로 사용가능한 평면형 PIN 포토다이오드(PIN photodiode)의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 n-InP 기판(31)상에 광흡수층(32) 및 n-InP층(33)을 순차로 성장시킨 화합물 반도체에 Zn 혹은 Cd와 같은 p-형 불순물을 수고아부(제3도의 A)와 전극전선 부착부(제3도의 B)에 동시에 확산하여 pn-접합구조를 형성하고, 실리콘 질화물(silicon nitride)등으로 무반사막(36)을 형성한 다음 반도체와 전극을 분리하고 이어서 p-면 전극을 형성하는 방법이다.활성형역에 pn-접합구조를 형성하기 위해 p-형 불순물의 주입시 본딩패드의 아래 부분에도 동시에 pn 접합을 형성함으로서 커패시턴스(capacitance)를 감소시키기 때문에 동작속도가 빠르며 패키징(packaging)이 용이하다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01)
CPC H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01)
출원번호/일자 1019910016480 (1991.09.20)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0079328-0000 (1994.11.16)
공개번호/일자 10-1993-0006988 (1993.04.22) 문서열기
공고번호/일자 1019940007592 (19940820) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.09.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박찬용 대한민국 대전직할시대덕구
2 이용탁 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1991.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1991-0092506-37
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1991-0092507-83
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1991-0092508-28
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1991-0092509-74
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0042047-69
6 의견서
Written Opinion		 1994.04.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0092510-10
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.04.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0092511-66
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0042048-15
9 등록사정서
Decision to grant		 1994.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0042049-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n+-InP 기판(31)상에 LPE 또는 OMVPE 기법으로 광흡수층(32)을 성장시키고 이어서 상기 광흡수층(32)상에 n-InP층(33)을 성장시키는 단계와, 상기 n-InP층(33)상에 실리콘 산화막(39)을 증착한 후 빛을 수광하는 활성영역인 수광부(A)와 전극패드가 형성될 전극전선 부착부(B)의 패턴을 형성하고 이어서 상기 실리콘 산화막(39)을 마스크로 이용하여 500 내지 550℃의 온도에서 상기 수광부(A)와 상기 전극 전선 부착부(B)에 p-형 불순물을 동시에 확산시켜 pn-접합구조를 형성하는 단계와, 상기 pn-접합공정이 완료된 후 상기 n-InP층(33)상에 무반사막(36)을 형성한 후 전극이 접촉될 부분을 에칭하고 염산계 용액으로 전극접촉이 이루어지는 p-InP를 선택적으로 에칭하는 단계 및, 리프트 오프 기법으로 0

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 광흡수층(32)은 n-InGaAs인 것을 특징으로 하는 평면형 PIN 포토다이오드의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 무반사막(36)은 실리콘 질화물인 것을 특징으로 하는 평면형 PIN 포토다이오드의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.