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패키징인덕턴스에의한센스엠프잡음저감회로

  • 기술번호 : KST2015073660
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H03F 1/32 (2006.01)
CPC G11C 11/4091(2013.01) G11C 11/4091(2013.01)
출원번호/일자 1019910024779 (1991.12.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0074625-0000 (1994.06.16)
공개번호/일자 10-1993-0015303 (1993.07.24) 문서열기
공고번호/일자 1019940002106 (19940317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김홍주 대한민국 대전직할시대덕구
2 김대용 대한민국 대전직할시중구
3 이형섭 대한민국 대전직할시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1991.12.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0135133-53
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1991.12.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0135131-62
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1991.12.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0135132-18
4 특허출원서
Patent Application
1991.12.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0135130-16
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1994.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0065154-29
6 등록사정서
Decision to grant
1994.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0065155-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

2개의 CMOS인버터가 서로 래치(latch)된 형태에서 2개의 NMOS트랜지스터(10a, 10c)의 소오스(Source)가 공통접점을 경유하여 또 하나의 다른 NMOS트랜지스터(10e)의 드레인(Drain)에 접속되어 차증폭기의 형태로 구성되어 있고, 이 NMOS트랜지스터(transistor)(10e)가 이 트랜지스터의 게이트(gate)가 PSN이라는 전기적 신호에 의해 제어되는 차동증폭기의 정전류원(constant Current Source)을 이루며, 이 차동증폭기의 부하저항의 역할을 수행하는 2개의 PMOS트랜지스터(10b, 10d)가 있으며, 이들 2개의 트랜지스터의 소오스는 소오스가 VCC에, 게이트가 센스제어신호(PSP)에 접속된 또하나의 PMOS트랜지스터(10f)의 드레인과 접속된 구성을 갖는 DRAM의 센스엠프에 있어서, 상기 부하저항용 PMOS트랜지스터(10b, 10d)의 소오스와 상기 PMOS트랜지스터(10f)사이에 네거티브 피이드백용 PMOS트랜지스터(60)를 부가하여, 이 트랜지스터(60)의 게이트가 상기 NMOS트랜지스터(10e)의 소오스에 접속되는 것을 특징으로 하는 패키징 인덕턴스에 의한 센스엠프의 잡음저감회로

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.