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  • 기술번호 : KST2015073668
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H03K 19/00 (2006.01)
CPC H03K 19/09436(2013.01)
출원번호/일자 1019900016020 (1990.10.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0064285-0000 (1993.08.10)
공개번호/일자 10-1992-0009080 (1992.05.28) 문서열기
공고번호/일자 1019930003930 (19930515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.10.10)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창석 대한민국 대전시대덕구
2 윤광준 대한민국 대전시대덕구
3 성낙선 대한민국 대전시유성구
4 박형무 대한민국 대전시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1990.10.10 수리 (Accepted) 1-1-1990-0095269-91
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1990.10.10 수리 (Accepted) 1-1-1990-0095270-37
3 특허출원서
Patent Application		 1990.10.10 수리 (Accepted) 1-1-1990-0095268-45
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0049097-15
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0049096-69
6 등록사정서
Decision to grant		 1993.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0049098-50
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

접지와 드레인이 연결된 두 공핍형 FET(J11),(J12)의 소오스는 각각 게이트에 궤환 연결하면서 증가형 FET(J13),(J14)의 드레인과 각각 연결하고, 입력단자(Vin1),(Vin2)에 게이트가 각각 연결된 증가형 FET(J13),(J14)의 소오스는 공핍형 FET(J15)의 드레인과 공통 연결하고, 소오스에 인가전원(Vss)이 공급되는 공핍형 FET(J15)의 게이트는 소오스와 궤환 연결하고, 접지와 드레인이 연결된 두 공핍형 FET(J16),(J17)의 게이트는 상기 공핍형 FET(J11),(J12)의 게이트와 각각 연결하고, 출력단자(
지정국 정보가 없습니다

패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.