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마스크 기판(11)위에 크롬차광막(12)을 형성하고, 그위에 감광막(13)을 도포하는 단계(a)와, 상기 감광막(13)을 이용하여 상기 크롬차광막(12)을 식각한 후 상기 감광막(13)을 제거하여 크롬차광막 패턴(12a)을 형성하는 단계(b)와, 상기 크롬차광막 패턴(12a)위에 ITO, CaF2, SrF2중 적어도 하나를 증착하여 과대식각됨을 방지하기 위한 제1위상반전층(14)을 형성하고, 그 위에 식각선택비가 상기 제1위상반전층(14)에 비해 상대적으로 높은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 도포하여 위상반전을 하기 위한 제2위상반전층(15)을 형성한 다음, 이 제2위상반전층(15)위에 감광막(16)을 소정의 두께로 도포하여 상기 감광막(16)위에 감광막 패탄(16a)을 형성하는 단계((c),(d))와, 이 감광막 패턴(16a)위에 상기 제2위상반전층(15)을 식각한 후 상기 감광막 패턴(16a)을 제거하여 제2위상반전 포토마스크(15a)를 형성하는 단계(e)와, 상기 제1위상반전층(14)을 식각하여 상기 마스크기판(11)과 상기 크롬차광막 패턴(12a)위에 제1위상반전 포토마스크(14a) 및 제2위상반전 포토마스크(15a)를 형성하는 단계(f)를 포함하는 위상반전 포토마스크 형성방법
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