| 1 |
1
실리콘 기판의 제조방법에 있어서, 사진식각에 의해 화합물 반도체 기판(1) 상에 바둑판 모양으로 가로 및 세로로 다수의 메사구조의 홈(2)을 소정의 길이로 형성하는 단계와, 상기 다수의 홈(2)이 형성된 상기 화합물 반도체 기판(1) 상에 저온 실리콘 산화막(3)을 증착하여 상기 홈(2)을 채운 후 상기 저온 실리콘 산화막(3) 상에 기판 접착을 위한 접촉막(4)을 소정의 두께로 형성하고 상기 접촉막(4)의 표면을 연마하는 단계와, 표면으로서 상기 연마된 접촉막(4)을 갖는 상기 화합물 반도체 기판(1)을 뒤집어서 단결정 실리콘 기판(5)의 상면(6)과 상기 접촉막(4)을 접착시킨 다음 소정의 온도범위에서 열처리를 수행하는 단계와, 상기 화합물 반도체 기판(1)을 연마처리하여 화합물 반도체체층(1a)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체 기판(1)으로 2층 이상의 화합물 반도체 에피텍셜층이 형성된 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 접촉막(4)은 다결정 실리콘막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 다수의 홈(2)내에 채워진 상기 저온 실리콘 산화막(3)이 열팽창시 응력 흡수층의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 접착 열처리 공정을 100 내지 1100℃의 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 접착 열처리 공정을 1차로 300℃ 이하의 온도에서 수행하고, 2차로 100 내지 1100℃의 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 단결정 실리콘 기판(5)과 접착되는 상기 화합물 반도체 기판(1) 상의 상기 접촉막(4)은 비결정 실리콘막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 다수의 홈(2)내에 채워진 상기 저온 실리콘 산화막(3)을 연마정지층으로 이용하여 상기 화합물 반도체 기판(1)을 식각하는 것에 의해 상기 화합물 반도체층(1a)을 형성하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법
|
