화합물 반도체 기판(1)상에 제1 및 제 2 화합물 반도체 에피택셜층(2), (3)을 순차 형성하는 단계와, 그위에 저온 실리콘 산화막(4) 및 다결정 실리콘막(5)을 순차 형성하는 단계와, 상기 다결정 실리콘막(5), 저온 실리콘 산화막(4)과 제2 및 제 1 화합물 반도체 에피택셜층(3), (2)을 순차식각하여 반도체 기판(1)을 노출시켜 홈(6)을 형성하는 단계와, 기판전면에 걸쳐 저온 실리콘 산화막을 증착시키는 단계와, 상기 저온 실리콘 산화막(4)을 식각하여 상기 홈(6)의 양측벽에 측벽 저온 실리콘 산화막(7a)을 형성하고, 노출된 다결정 실리콘막(5)을 풀리싱하는 단계와, 상기 화합물 반도체 기판(1)을 뒤집어서 풀리싱된 다결정 실리콘막(5)과 단결정 실리콘 기판(8)과 접착시킨 후 열처리하는 단계와, 상기 화합물 반도체 기판(1)을 제거하여 상기 제 1 화합물 반도체 에피택셜층(2)을 노출시키는 단계와, 상기 제 1 화합물 반도체 에피택셜층(3) 및 측벽 저온 실리콘 산화막(7a)을 식각하여 상기 제 2 화합물 반도체 에피택셜층(3)을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법

제 1 항에 있어서, 상기 화합물 반도체 기판(1)으로 3층 이상의 에피택셜층이 형성되어 있는 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 화합물 반도체 에피택셜층의 농도가 서로 다를 뿐만 아니라 이들의 농도가 화합물 반도체 기판(1)의 농도와도 다른 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법

제 1 항에 있어서, 상기 홈(6)은 메사구조로서 화합물 반도체 기판(1)상에 바둑판 모양으로 가로 및 세로로 다수 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체 기판이 형성된 기판의 제조방법

제 1 항에 있어서, 상기 측벽 저온 실리콘 산화막(7a)은 상기 제 2 화합물 반도체 에피택셜층(3)으로부터 불순물이 누출되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법

제 1 항에 있어서, 상기 홈(6)에 빈공간부를 형성하여 단결정 실리콘 기판(1)과 화합물 반도체 기판(1)간의 열팽창 계수 차에 의한 계면응력을 흡수하도록 하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법

제 1 항에 있어서, 상기 접착 열처리 공정을 100 내지 1100℃의 온도범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법

제 1 항에 있어서, 상기 접착 열처리 공정을 1차로 300℃ 이하의 온도에서 실시하고 2차로 100 내지 1100℃의 온도범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법

제 1 항에 있어서, 상기 단결정 실리콘 기판(9)과 접착되는 화합물 반도체 기판(1)의 접촉면으로 비정질 실리콘막을 사용하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법

제 1 항에 있어서, 상기 화합물 반도체 기판(1)을 제거하는 방법으로 1차로 기계적인 연마방법을 사용하여 수십 ㎛로 박막화하고, 2차로 남아있는 박막의 화합물 반도체 기판(1)을 습식식각법으로 식각하여 모두 제거하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 화합물 반도체 에피택셜층(2)을 선택적 식각법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법

제 1 항에 있어서, 홈(6)의 내부 양측벽에 형성되어 있는 상기 측벽 저온 실리콘 산화막(7a)을 습식식각법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체 에피택셜층이 형성된 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법