소자격리 산화막(23)의 보호를 위하여 산화막(23)상에 질화막(22)을 형성하고 질화막(22)위에는 에미터, 베이스, 컬렉터 전극을 형성하기 위하여 다결정 실리콘(1)을 증착하고, 다결정 실리콘(1) 위에는 다결정 실리콘 에미터 표면의 보호를 위하여 건식산소 분위기에서 완충 다결정 실리콘 산화막(2)을 성장하고 N+다결정 실리콘(4)의 습식식각의 종점을 제공하기 위하여 산화막(2)위에 질화막(3)을 증착하고 증착 산화막의 건식식각시 질화막(3)의 보호와 식각의 종점을 질화막(3)위에 N+다결정 실리콘(4)을 증착하는 제1공정과, 다결정 실리콘을 선택적으로 건식식각하기 위하여 다결정 실리콘(1),(4)상에 산화막(6)을 성장하여 사진식각 방법에 의해 소자의 전체 크기를 정의하는 제2공정과, 각 전극간의 트랜치 격리영역(7)과 다결정 실리콘 전극(8),(9),(10)들을 동시에 형성하고, 다결정 실리콘 산화막(6)을 제거한 후 건식산소분위기에서 산화막(11) 성장과 붕소 이온을 주입하여 비활성 및 활성베이스 영역간에 P+연결층과 트렌치격리 영역을 형성하는 제3공정과, 저온증착 산화막을 증착하여 N+다결정 실리콘(4)과 베이스 다결정 실리콘(8)의 표면이 노출될떼까지 건식식각하여 트렌치 격리 산화막(12)을 형성하고 N+다결정 실리콘(4)을 제거한 후 붕소의 도핑에 의하여 P++비활성 베이스 전극(25)을 형성하고 에미터 다결정 실리콘(9)내로 분순물의 선택적 이온 주입을 위하여 P++베이스 전극(25)상에 산화막(13)을 성장하여 트렌치 격리산화막과 P++베이스 다결정 실리콘 전극을 형성하는 제4공정과, 질화막(3)을 제거한 후 붕소와 비소를 이온주입하여 질소 분위기에서 열처리함으로써 소자의 확산층(14),(15),(16),(17)들을 최종적으로 형성하여 소자의 활성 영역을 형성하는 제5공정과, 다결정 실리콘 산화막(2),(13)들을 제거한 후 천이금속을 증착하고 질소 분위기에서 열처리에 의하여 천이금속을 실리사이드화한 후, 트렌치 격리산화막(12)상의 천이금속을 제거하여 각 다결정 실리콘 전극(25)(26)(27)상에 실리사이드층과 금속배선을 형성하는 제6공정에 의하여 자기정렬된 실리사이드 전극을 갖는 단일 다결정 실리콘 바이폴라 소자 제조방법