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P형 실리콘기판(0)상에 N+와 P 메몰층(1), (2)을 형성한 후 N형의 에피층(3)을 성장시키고, 선택적 산화막 성장과 실리콘 건식식각을 위하여 완충산화막(4)위에 질화막(5)과 산화막(6)을 증착한 후 미세형상방법에 의하여 컬렉터띠를 정의하는 제1공정과, 소자간의 격리를 제공하기 위하여 상기 N+메몰층(1)까지의 일부를 포함하여 에피층(3)을 건식식각한 후 컬렉터 격리 산화막(10)을 성장시키는 제2공정과, N+ 컬렉터 전극띠를 형성하기 위하여 질화막(5)위에 1차 다결정 실리콘(12)을 증착한 후 인(POCL3)을 도핑하고 다시 다결정 실리콘(12)위에 2차 다결정 실리콘(15)을 증착하여 고온 열처리하는 공정과, N+ 다결정 실리콘 컬렉터 전극(20)의 표면을 평탄화 하기 위하여 감광막(18)을 도포한 후 질화막(5)이 노출될때까지 감광막(18)과 N+ 다결정 실리콘(12), (15)을 건식식각하는 제3공정과, 절연을 위하여 상기 컬렉터 전극(20) 상부에 다결정 실리콘 산화막(23)을 성장시키는 제4공정과, 다결정 실리콘 산화막(23)위에 질화막(25)을 증착한 후 미세형상 방법에 의하여 질화막(25), 산화막(4), N형 에피층(3)의 일부를 건식식각하는 제5공정과, 피일드 산화막의 수평성장을 지연시키기위하여 노출된 실리콘 표면에 건식산화막(27)을 성장시킨 후 측벽다결정 실리콘(28)을 형성하는 제6공정과, 소자간의 격리를 최종적으로 실현시키기 위하여 피일드 산화막(29)을 성장한 후 질화막(25)과 완충산화막(4)을 제거하는 제7공정과, 에미터와 베이스 전극을 정의하기 위하여 에미터(50)와 베이스의 전극(52)이 되는 다결정 실리콘, 비활성 베이스 확산원으로 사용되는 BSG(33), 선택적 건식식각을 위한 다결정 실리콘(40)을 차례로 증착한 후 미세형상 방법에 의하여 에미터와 베이스 전극을 정의한 후 측벽질화막(45)과 다결성 실리콘(46)을 형성하는 제8공정과, 산화막을 증착하여 에미터 다결정 실리콘(50)의 표면에 노출될때까지 증착산화막을 건식식각하여 에미터와 베이스 다결정 실리콘 전극(50), (52)간의 전기적 절연 산화막(55)을 형성하는 제9공정과, 에미터 다결정 실리콘(50)을 통한 붕소 이온주입과 열처리를 통하여 진성 베이스영역(57)과 비활성 베이스영역(58)을 형성하고, 에미터영역(60)은 에미터 다결정 실리콘(50)내로 비소를 이온주입하여 열처리하여 최종적으로 PSA 바이폴라 소자가 형성되는 제10공정에 의한 수직 컬렉터 전극을 갖는 바이폴라 소자 제조방법
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