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하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성한 광전집적 소자에 있어서, 홈형상을 갖도록 소정 깊이까지 식각된 반절연 기판(1)상에 n- InGaAs 채널층(2), InP 식각 저지층(3), InGaAs 흡수층(4) 및 p-InP층(5)이 메사형으로 형성된 광검출기와, 식각되지 않은 상기 반절연 기판(1)상에 n-InGaAs 채널층(2), InP 식각 저지층(3) 및 P형 InP층(5)이 순차 형성되고 아울러 이 P형 InP층(5) 위에 P형 InGaAs층(6)이 역메사형으로 형성된 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 수신용 광전집적 소자
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하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성하는 수신용 광전집적 회로의 제조방법에 있어서, 반절연 기판(1) 상에서 상기 광검출기의 형성부분을 선택식각 용액으로 소정깊이까지 식각해 내는 제 1 공정과, 상기 식각된 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2)과, 식각 저지층(3) 및 흡수층(4)을 순차 형성하는 제 2 공정과, 상기 광검출기의 형성부분을 제외한 상기 흡수층(4)을 선택식각 용액으로 제거하는 제 3 공정과, 상기 광검출기와 트랜지스터의 전기적 절연을 위하여 두 소자가 형성되는 부분의 사이에서 상기 식각 저지층(3)과 n형 채널층(2)을 순차 제거하는 제 4 공정과, 노출된 기판(1)상 전체에 P형 InP층(5)과 P형 InGaAs층(6)을 순차 형성하는 제 5 공정과, 리쏘그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 하여 광검출기 형성 부분에 위치한 상기 P형 InGaAs층(6)을 선택적으로 식각하는 제 6 공정과, 상기 광검출기의 형성 위치에 있는 상기 P형 InP층(5)상에 그리고 상기 트랜지스터 형성 위치에 있는 상기 P형 InGaAs층(6)상에 P형 전극(7a~7b)을 형성하는 제 7 공정과, 리쏘그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 사용하여 광검출기 형성부분을 가리고 아울러 게이트용 상기 P형 전극(7b)을 마스크로 하여 상기 P형 InGaAs층(6)과 P형 InP층(5) 및 식각 저지층(3)을 제거하는 제 8 공정과, 상기 n형 채널층(2)과 상기 P형 전극(7b)상에 n형 금속(8a~8b)을 증착하여 광검출기와 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 저항접촉을 형성하는 제 9 공정과, 폴리이미드(polyimide)(9)를 코팅한 다음 상기 광검출기의 전극(7a,8a) 및 광흡수 부분(10)과 상기 트랜지스터의 소오스(8b) 및 드레인(8d)의 형성부분의 폴리이미드를 식각하는 제 10 공정 및, 상기 광검출기의 전극(7a,8a) 및 상기 트랜지스터의 소오스(8b) 및 드레인(8d)의 형성부분에 배선금속을 형성하는 제 11 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전집적 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 8 공정에서 트랜지스터의 형성 위치에 있는 상기 P형 InGaAs층(6)을 역메사 형태로 식각되고 그리고 상기 P형 InP층(5)은 직각 형태로 식각되는 것을 특징으로 하는 광전집적 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 2 공정에서 형성된 흡수층(4)은 InGaAsP층인 것을 특징으로 하는 광전집적 소자의 제조방법
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하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성하는 수신용 광집적 회로의 제조방법에 있어서, 반절연 기판(1)상에서 상기 광검출기의 형성부분을 선택식각 용액으로 소정깊이까지 식각해 내는 제 1 공정과, 상기 식각된 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2)과, 식각 저지층(3) 및 흡수층(4)을 순차 형성하는 제 2 공정과, 상기 광검출기의 형성부분을 제외한 상기 흡수층(4)을 선택식각 용액으로 제거하는 제 3 공정과, 상기 광검출기와 트랜지스터의 전기적 절연을 위하여 두 소자가 형성되는 부분의 사이에서 상기 식각저지층(3)과 n형 채널층(2)을 순차 제거하는 제 4 공정과, 노출된 기판(1)상, 전체에 1
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하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성하는 수신용 광전접적 회로의 제조방법에 있어서, GaAs 반절연 기판(1)상에서 상기 광검출기의 형성부분을 선택식각 용액으로 소정깊이까지 식각해 내는 제 1 공정과, 상기 식각된 GaAs 반절연 기판(1)상에 n형 GaAs 채널층(2)과, AlGaAs 식각 저지층(3) 및 GaAs 흡수층(4)을 순차 형성하는 제 2 공정과, 상기 광검출기의 형성부분을 제외한 상기 흡수층(4)을 선택 식각 용액으로 제거하는 제 3 공정과, 상기 광검출기와 트랜지스터의 전기적 절연을 위하여 두 소자가 형성되는 부분의 사이에서 상기 식각저지층(3)과 n형 채널층(2)을 순차 제거하는 제 4 공정과, 노출된 기판(1)상 전체에 P형 GaAlAs층(5)과 P형 GaAs층(6)을 순차 형성하는 제 5 공정과, 리쏘그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 하여 광검출기 형성부분에 위치한 상기 P형 GaAs층(6)을 선택적으로 식각하는 제 6 공정과, 상기 광검출기의 형성 위치에 있는 상기 P형 GaAlAs층 상에 그리고 상기 트랜지스터 형성위치에 있는 상기 P형 GaAs층(6)상에 P형 전극(7a~7c)을 형성하는 제 7 공정과, 리쏘그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 사용하여 광검출기 형성부분을 가리고 아울러 게이트용 상기 P형 전극(7c)을 마스크로 하여 상기 P형 GaAs층(6)과 P형 GaAlAs층(5) 및 식각 저지층(3)을 제거하는 제 8 공정과, 상기 n형 채널층(2)과 상기 P형 전극(7c)상에 n형 금속을 증착하여 광검출기와 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 저항접촉을 형성하는 제 9 공정과, 폴리이미드(polyimide)를 코팅한 다음 상기 광검출기의 전극 및 광흡수 부분과 상기 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 형성 부분의 폴리이미드를 식각하는 제 10 공정 및, 상기 광검출기의 전극 및 상기 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 형성 부분에 배선금속을 형성하는 제 11 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광집적 소자의 제조방법
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