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위상반전마스크의형성방법

  • 기술번호 : KST2015073726
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01L 21/00 (2006.01)
CPC G03F 1/26(2013.01)
출원번호/일자 1019900016318 (1990.10.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0068241-0000 (1993.12.03)
공개번호/일자 10-1992-0008833 (1992.05.28) 문서열기
공고번호/일자 1019930008846 (19930916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.10.15)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차재현 대한민국 대전시서구
2 전영진 대한민국 대전시유성구
3 최상수 대한민국 대전시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1990.10.15 수리 (Accepted) 1-1-1990-0097118-52
2 특허출원서
Patent Application		 1990.10.15 수리 (Accepted) 1-1-1990-0097116-61
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1990.10.15 수리 (Accepted) 1-1-1990-0097117-17
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.08.19 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1990-0050084-46
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0050085-92
6 등록사정서
Decision to grant		 1993.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0050086-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

마스크기판(1)의 상면에 위상반전층(2)과 크롬차광막(3)및 감광막(4)을 차례로 증착 또는 도포하는 단계와, 상기 감광막(4)을 이용하여 크롬차광막패턴(3a)을 형성하는 단계와, 다시 감광막(5)을 입히고 이를 이용하여 위상반전층 패턴(2a)을 형성하는 단계에 의해 포토마스크를 완성하도록한 위상반전 마스크의 형성방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 마스크기판(1)의 상면에 위상반전층(2)을 먼저 증착하고 이의 결함여부를 검사하도록한 위상반전 마스크의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.