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열적산화막습식식각방법

  • 기술번호 : KST2015073752
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체장치를 제조하는 방법으로 실리콘산화막의 경사진 식각단면을 간단하게 형성하는 습식식각방법에 관한 것이다.본 발명은 열적산화막(2)을 식각하기 위한 식각용액으로서 NH4F와 HF의 혼합비가 6 : 1 혹은 7 : 1인 BHF(Buffered HF) 용액에 에탄올(C2H5OH : 99.8%)을 상기 BHF용액 용적의 1% 내지 7%로 혼합한 에탄올 첨가 BHF용액을 사용하여 습식식각함으로서 종래의 경사진식각단면을 얻기 위한 추가공정의 소요 및 재현성의 문제 등을 해결하고 고내압소자, 다층배선소자 등의 반도체장치 제작시 산화막 상층에 적층되는 각종 박막의 스텝커버리지(step coverage)를 향상시킨다.
Int. CL G03F 7/26 (2006.01)
CPC G03F 7/30(2013.01) G03F 7/30(2013.01)
출원번호/일자 1019910018987 (1991.10.28)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0081806-0000 (1995.01.25)
공개번호/일자 10-1993-0008525 (1993.05.21) 문서열기
공고번호/일자 1019940010596 (19941024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.10.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최창억 대한민국 대전직할시서구
2 권오준 대한민국 대전직할시중구
3 박종문 대한민국 대전직할시동구
4 장기호 대한민국 대전직할시중구
5 김승탁 대한민국 경상북도구미시원
6 임태영 대한민국 서울특별시서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0105309-44
2 특허출원서
Patent Application		 1991.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0105307-53
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0105308-09
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0105310-91
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0049097-49
6 의견서
Written Opinion		 1994.06.27 수리 (Accepted) 1-1-1991-0105311-36
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1994.06.30 발송처리중 (Ready to be dispatched) 1-5-1991-0049098-95
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0049099-30
9 등록사정서
Decision to grant		 1995.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0049100-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘기판(1)상에 열적산화막(2)을 성장시키는 단계와, 상기 열적산화막(2)의 표면에 HMDS를 5분간 프라이밍 처리한 후 포토레지스트(5)를 도포하고 소프트베이킹을 수행하는 단계와, 상기 포토레지스트(5)를 자외선으로 노광하고 현상시키는 사진전사단계와, 하드베이킹을 수행한 후 식각용액으로 상기 열적산화막(2)을 식각하는 단계를 포함하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 사진전사단계가 완료된 후 상기 열적산화막(2)을 식각하기 위한 사이 식각용액으로서 에탄올 첨가 BHF용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 열적산화막의 습식식각방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 에탄올첨가 BHF용액을 NH₄F와 HF의 혼합비가 6:1 혹은 7:1인 BHF용액에 에탄올(C2H5OH:99

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 에탄올의 첨가량은 산화막의 두께 및 경사각도에 상응하게 조절되는 것을 특징으로 하는 열적산화막의 습식식각방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.