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반도체장치의다층배선제조방법

  • 기술번호 : KST2015073805
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 23/5226(2013.01) H01L 23/5226(2013.01) H01L 23/5226(2013.01) H01L 23/5226(2013.01)
출원번호/일자 1019910024252 (1991.12.24)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0097744-0000 (1996.04.02)
공개번호/일자 10-1993-0014798 (1993.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019960000361 (19960105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤용선 대한민국 대전직할시대덕구
2 모승기 대한민국 대전광역시 유성구
3 이대우 대한민국 대전광역시 서구
4 김보우 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132379-52
2 특허출원서
Patent Application		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132378-17
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132380-09
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132381-44
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063873-92
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1994.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132382-90
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.02.02 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132383-35
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.02.27 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132384-81
9 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 1995.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063874-37
10 의견서
Written Opinion		 1995.03.31 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132385-26
11 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1995.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063875-83
12 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063878-19
13 등록사정서
Decision to grant		 1996.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063879-65
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 장치의 다층배선을 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 금속층을 증착한 후 1차 금속층(2)의 패턴을 형성하는 공정과, 상기 1차 금속층(2)이 형성된 실리콘 기판(1) 상에 식각중단층(3)과 금속층(4)을 순차적으로 증착하고 상기 금속층(4)을 CI 계통의 가스를 사용하는 반응성 이온식각방법으로 패터닝하여 연결금속층(4)을 형성하는 공정과, 상기 CI 계통의 가스를 제거함과 동시에 식각중단층(3)의 노출된부분을 제거하도록 SF6 가스로 후처리하는 공정과, 상술한 구조의 전표면에 층간절연막(6)을 증착한 후 상기 층간절연막(6)을 평탄화시키면서 연결금속층(4')의 상부를 노출시키는 공정과, 상기 중간절연막(6)과 연결금속층(4')의 상부에 금속층(7)을 증착한 후 2차 금속층(7')의 패턴을 헝성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 1차 금속층(2) 및 연결금속층(4)을 알루미늄으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 식각중단층(3)을 타이타늄-텅스텐으로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 다층배선 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 식각중단층(3)을 타이타늄-텅스텐으로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 다층배선 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 2차 금속층(7') 패턴형성공정에서 포토레지스트와 층간 절연막(6)의 식각선택비를 1:1로 유지하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 다층배선 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.