비도핑 반절연 또는 Cr으로 도핑된 GaAs 기판(1)상에 전자빔 결정성장(MBE)방법등으로 광반사층(2), 활성층(3)과 덮개층(4)을 순차로 성장시키는 제1공정과, 상기 활성층(3)의 바닥까지 메사에칭에 의해 상기 활성층내의 수평전계형성을 위한 도핑이온 주입표면을 노출시키고 광학적 고립영역을 형성하는 제2공정과, 각 소자들을 전기적으로 분리시키기 위하여 상기 광반사층(2) 내에 전기적 고립영역(5)을 형성하는 제3공정과, 입사광 및 출사광의 통로를 결정하기 위하여 광학적 윈도우를 형성하고 상기 활성층(3)내에 수평전계를 형성하기 위하여 상기 활성층(3)에 수직한 방향으로 N형 이온 및 P형 이온을 이온주입하여 각각 N형 도핑영역(6) 및 P형 도핑영역(7)을 형성하는 제4공정과, 상기 N형 도핑영역(6) 및 상기 P형 도핑영역(7)상에 금속막으로 전극접촉(8)을 형성하는 제5공정과, 상기 활성영역(3)내에서 N형으로 도핑되고 광이 통과하는 부분을 수소 플라즈마 주입방법을 이용하여 비도핑화 시키는 제6공정 및, 상기 광학적 윈도우의 표면반사 때문에 발생되는 반사손실을 줄이기 위하여 무반사막(11)을 도포하는 제7공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제1항의 제1공정에 있어서, 광이 지나가는 방향과 평행한 방향으로 전체 활성층내에 균일하게 수평전계를 형성하기 위한 방법으로 수소 플리즈마 주입방법을 이용하기 위하여, 결정성장중에 광반사층(2)을 제외한 상기 활성층(3)과 상기 덮개층(4)을 1∼10x1016cm-13 범위의 도너(donor)로써 도핑시켜 N형 도핑영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제1항의 제3공정에 있어서, 상기 광반사층(2)내의 상기 전기적 고립영역(5)은 보론이온(Boron Ion ; B+11) 주입방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제1항의 제4공정에 있어서, 상기 N형 도핑영역(6) 및 및 상기 P형 도핑영역(7)으로 각각 주입되는 N형 이온은 Si 이온이고 P형 이온은 Be 이온인 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제4항에 있어서, 상기 Si 및 Be 이온의 바람직한 이온주입 가속에너지는 대략 100∼200KeV인 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제1항의 제6공정에 있어서, 상기 수소 플리즈마 주입공정은 시편을 300℃ 내지 370℃ 이하의 범위에서 가열한 상태에서 수소 플라즈마를 상기 덮개층(4)의 표면에서부터 상기 활성층(3)의 바닥까지 주입하는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제6항에 있어서, 상기 수소 플리즈마 주입을 선택적으로 할 수 있는 마스크는 입력광의 윈도우의 역활을 하는 금속증착막(8)을 이용하는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

비도핑 반절연 또는 Cr으로 도핑된 GaAs 기판(1)상에 전자빔 결정성장(MBE)방법 등으로 광반사층(2), 활성층(3)과 덮개층(4)을 순차로 성정사키고, 상기 활성층(3)의 바닥까지 메사에칭을 한 후, 각 소자들을 전기적으로 분리시키기 위하여 상기 광반사층(2)내에 전기적 고립영역(5)을 형성하고, 상기 활성층(3)내에 수평전계를 형성하기 위해 상기 활성층(3)에 수직한 방향으로 N형 이온 및 P형 이온을 이온주입하여 각각 N형 도핑영역(6) 및 P형 도핑영역(7)을 형성하여 상기 활성층(3)이 도핑된 구조의 SEED를 제조하는 단계와 ; 상기 단계에서 제조된 하나의 SEED의 상기 N형 도핑영역(6)과 상기 P형 도핑영역(7)이 상호 인접하도록 두 개의 SEED들을 직렬 접속한 후 금속막을 증착시켜 전극접촉(8)을 형성하고, N형으로 도핑된 활성층(3)내에 광이 통과하는 부분을 수소 플라즈마 주입방법을 이용하여 비도핑화시킨 후, 표면 반사로 인하여 발생되는 반사손실을 줄이기 위하여 무반사막(11)을 도포하여 S-SEED를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제8항에 있어서, 광이 지나가는 방향과 평행한 방향으로 전체 활성영역내에 균일한 수평전계를 형성하기 위한 방법으로 수소 플라즈마 주입방법을 이용하기 위하여, 결정 성장중에 상기 광반사층(2)을 제외한 상기 활성층(3)과 상기 덮개층(4)을 1∼10x1016cm-13 범위의 도너(donor)로써 도핑시켜 N형 도핑영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제8항에 있어서, 상기 광반사층(2)내의 상기 전기적 고립영역(5)은 보론이온(Boron Ion ; B+11) 주입방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제8항에 있어서, 상기 N형 도핑영역(6) 및 상기 P형 도핑영역(7)으로 각각 주입되는 N형 이온은 Si 이온이고 P형 이온은 Be 이온인 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제11항에 있어서, 상기 Si 및 Be 이온의 바람직한 이온주입 가속에너지는 대략 100∼200KeV인 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제8항에 있어서, 상기 전극접촉(8)을 형성하기 위하여 증착하는 금속막은 Au인 것을 특징으로 하는 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제8항에 있어서, 상기 수소 플라즈마 주입공정은 시편을 300℃ 내지 370℃ 이하의 범위에서 가열한 상태에서 수소 플라즈마를 상기 덮개층(4)의 표면에서부터 상기 활성층(3)의 바닥까지 주입하는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법

제14항에 있어서, 상기 수소 플리즈마 주입을 선택적으로 할 수 있는 마스크는 입력광의 윈도우의 역할을 하는 금속증착막(8)을 이용하는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭소자의 제조방법