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이온주입을이용한수직구조형MESFET제조방법

  • 기술번호 : KST2015073808
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H01L 29/6659(2013.01) H01L 29/6659(2013.01) H01L 29/6659(2013.01) H01L 29/6659(2013.01)
출원번호/일자 1019910024257 (1991.12.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0082486-0000 (1995.02.17)
공개번호/일자 10-1993-0015088 (1993.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019940010925 (19941119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양전욱 대한민국 대전직할시대덕구
2 심규환 대한민국 대전직할시중구
3 조경익 대한민국 대전직할시중구
4 이용탁 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132412-72
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132411-26
3 특허출원서
Patent Application		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132409-34
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132410-81
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063888-76
6 의견서
Written Opinion		 1994.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132413-17
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063889-11
8 등록사정서
Decision to grant		 1995.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063890-68
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

고농도의 Si 이온을 기판표면에 주입하여 드레인 영역을 정의하고, 이 드레인 영역을 접합분리하기 위해 P형 이온주입 영역을 형성하고, 절연막을 증착하는 제 1 공정 ; 소정의 레지스트 패턴(5)을 이용하여 상기 절연막, 드레인 영역, P형 영역 및 기판의 일부를 경사식각하고, 식각된 기판에 Si 이온을 주입하여 소스영역을 형성하는 제 2 공정 ; 경사식각된 상기 기판을 소정각도로 틸트(tilt)시킨 후 고농도의 Si 이온을 주입하여 소스와 드레인 사이의 경사면에 채널을 형성하는 제 3 공정 ; 상기 소스 및 절연막 상부에 소스와 게이트 격리를 위한 절연층을 증착하는 제 4 공정 ; 상기 채널층의 전류흐름을 제어하기 위하여 금속을 경사증착하여 게이트를 형성하는 제 5 공정 ; 및 오믹접촉을 위하여 상기 소스 및 드레인의 상측 일부에 저항성 금속을 증착한 후 열처리 하는 제 6 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이온주입을 이용한 수직 구조형 MESFET 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 형성을 위한 제 5 공정이 스퍼터링 또는 진공증착방법에 의해 이루어지며, 상기 게이트 금속은 Al, Ti/Pt/Au/, W, WSi, 및 WSiN중의 어느하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 이온주입을 이용한 수직 구조형 MESFET 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.