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화합물반도체 전계효과 트랜지스터의 오믹접합을 제조하는 방법에 있어서, 반절연 화합물 반도체기판(1)상에 하층절연막(2)과 상층 절연막(3)을 순차로 증착한 후 광사진전사방법으로 오믹의 형상을 만들고 반응성식각방법으로 때어내기형으로 만드는 공정과, 유황층(4)을 형성한 후 하층금속막(5)과 상층금속막(6)을 순차로 증착하는 공정과, n+층을 균일하게 형성하기 위해 이온주입하여 오믹금속과 반도체를 상호 혼합시키는 공정 및, 표면보호막(8)을 증착한 후 열처리하여 불순물의 활성화 및 금속-반도체의 반응을 일으키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 고온 오믹 접합 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 하층금속막(5)은 NiIn, InGe, WIn과 같은 In을 포함하는 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 고온 오믹 접합 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 상층금속막(6)은 WSi, Pt, TiSi와 같이 용융점과 전도도가 높은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 고온 오믹 접합 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유황층형성공정은 (NH4)2S용액에 웨이퍼를 담궈 표면처리한 후 50 내지 100Å의 상기 유황층(4)을 잔류시키는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 고온 오믹 접합 제조방법
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제 1 항에 있어서, 불순물의 활성화 및 금속-반도체의 반응을 위한 상기 열처리공정은 저온 열처리공정과 고온열처리 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 고온 오믹 접합 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 저온열처리공정은 상기 유황층(4)과 오믹금속층, 주입된 이온과 화합물 반도체 사이에 원소들 상호간 확산반응하는 시간을 제공하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 고온 오믹 접합 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 고온열처리공정은 오믹접합의 표면에 작은 밴드갭의 n++층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 고온 오믹 접합 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 n+층을 형성하기 위해 이온주입하는 공정에서 주입되는 이온은 Si이온인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 고온 오믹 접합 제조방법
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