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갈륨비소트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073813
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 갈륨비소반응을 이용하여 갈륨비소 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 종래의 이온 주입을 이용하여 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 집적회로를 제작하는 방법은 이온주입에 의한 활성층 제작방법은 후속으로 고온의 활성화공정이 필요하며, 고온반응시에 표면의 갈륨비소층이 분해되거나, 상층부에 있는 보호막과 반응을 하여 활성층의 전자이동도와 활성효율을 크게 떨어뜨리게 된다.반면데 MBE(Molecular Beam Epitaxy)혹은, MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)등의 단결정 박막성장법(Epitaxial Growth)에 의한 활성층 제작방법은 전자이동도가 높은 활성화효율이 높은 장점이 있으나 임계전압을 조절하기 위해서는 게이트 부위의 활성층을 리세스 식각이 필요한데, 리세스 깊이의 조절이 어려우므로 임계전압의 정확한 조정이 요구되는 집적회로 제작에는 활용이 어려운 단점이 있다. 즉, 습식식각 방법은 재현성 있는 공정이 어렵고, 특기 기판크기가 커짐에 따라 기판내에서의 균일도가 매우 불량해진다.근자에 이르러 이용되고 있는 플라즈마 건식식각 방법은 균일도가 놓은 반면에, 기판에 이온충돌에 의한 손상이 문제가 되며, 미세한 형상의 경우 단층굴곡등의 파생문제가 나타나게 된다.이러한 불균일한 리세스 방법은 공핍형(Depletion Mode)소자의 증가형(Enhancement Mode)소자가 동일기판에 동시에 요구되어 임계전압의 정확한 조절과 균일도가 요구되어지는 DCFL논리회로를 갖는 집적회로의 제작에 있어서는 활용이 거의 불가능하다.본 발명은, MESFET, HEMT등 전계효과트랜지스터 집적회로를 제조하는 방법에 있어서, 금속갈륨비소 반응을 이용하여 활성층 특성이 우수한 단결정박막 활성층위에 갈륨비소와의 열반응특성이 서로 다른 금속을 E-FET와 D-FET의 게이트 금속으로 형성시킨 후 저온가열하여 갈륨비소 금속간의 저온반응을 통하여 균일하고 재현성있게 임계전압을 조절할수 있는 새로운 금속 갈륨비소 반응을 이용한 갈륨비소 트랜지스터 제조방법을 제공하는 것이다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01)
출원번호/일자 1019910024268 (1991.12.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0087214-0000 (1995.07.24)
공개번호/일자 10-1993-0015089 (1993.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019950003947 (19950421) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철순 대한민국 대전직할시유성구
2 조낙희 대한민국 대전직할시대덕구
3 조경익 대한민국 대전직할시중구
4 이용탁 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132464-35
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132466-26
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132467-72
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132465-81
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063917-13
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132469-63
7 의견서
Written Opinion		 1994.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132468-17
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063918-58
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1994.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132470-10
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1994.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132471-55
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.01.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132473-46
12 의견서
Written Opinion		 1995.01.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132472-01
13 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063919-04
14 등록사정서
Decision to grant		 1995.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063920-40
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

갈륨비소 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, MBE 혹은 MOCVD를 통하여 단결정박막 활성층을 갈륨비소 기판위에 D-FET의 조건에 맞추어 두께와 불순물의 조성을 각각 50∼300nm과 1017∼1018cm-3의 범위중에서 맞추어 성장시키는 제 1 공정(A)과, 정렬표식과 소자격리를 위하여 트랜지스터 부분외의 활성층영역을 식각하는 제 2 공정고(B)과, 오믹금속의 증착과 합금화를 거쳐 E-FET과 D-FET의 소스와 드레인의 오믹접촉을 형성하는 제 3 공정(C)과, 갈륨비소 기판과 열반응이 많은 금속막을 E-FET의 게이트로 형성한 후 200∼800℃의 열처리를 통하여 임계전압을 조절하는 제 4 공정과(D)과, D-FET의 게이트 금속을 형성하여 D-FET의 소자제작을 형성시키는 제 5 공정(E)에 의하여 E-FET의 임계전압을 조절할 수 있도록 함을 특징으로 하는 갈륨비소 트랜지스터 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.