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반도체장치의다층배선절연층및수지접속부분의형성방법

  • 기술번호 : KST2015073820
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/3205 (2006.01)
CPC H01L 21/76843(2013.01) H01L 21/76843(2013.01) H01L 21/76843(2013.01)
출원번호/일자 1019910010394 (1991.06.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0078839-0000 (1994.11.02)
공개번호/일자 10-1993-0001393 (1993.01.16) 문서열기
공고번호/일자 1019940007072 (19940804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.06.22)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경호 대한민국 대전직할시중구
2 박효훈 대한민국 대전직할시서구
3 박성주 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1991.06.22 수리 (Accepted) 1-1-1991-0059450-50
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1991.06.22 수리 (Accepted) 1-1-1991-0059451-06
3 출원심사청구서
Request for Examination
1991.06.22 수리 (Accepted) 1-1-1991-0059452-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1994.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0024387-55
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1994.03.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0059453-97
6 의견서
Written Opinion
1994.03.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0059454-32
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1994.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0024388-01
8 등록사정서
Decision to grant
1994.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0024389-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제1의 배선(2,3)이 형성된 반도체 기판(1)과, 상기 제1의 배선(2,3)에 적어도 하나 이상의 배선을 갖는 다층 구조 반도체 장치의 배선들 상호간을 전기적으로 절연시키기 위한 절연층과 상기 배선들 상호간을 전기적으로 접속시키기 위한 수직 접속 부분을 형성하는 방법에 있어서, 상기 제1의 배선(2,3)이 형성된 기판(1) 위에 불화물 박막(9)을 증착하는 공정과, 초고진공 분위기에서 수직접속이 필요한 부분의 상기 불화물 박막(9) 위에 전자 빔을 선택적으로 조사하는 공정을 포함하되, 상기 불화물 박막(9)에 전자 빔을 조사하여 얻은 금속 박막(10)을 상기 제1 및 제2의 배선층들 상호간을 전기적으로 연결하는 수직 접속 부분으로서 이용하고, 전자 빔이 조사되지 않은 부분의 상기 불화물 박막(9)을 상기 제1 및 제2의 배선층들 상호간을 전기적으로 절연시키는 절연막으로서 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 절연층 및 수직접속 부분의 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 전자 빔 조사 공정은, 약 1∼500KeV 정도의 가속에너지, 약 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.