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수직소자분리를위한3중층제조방법

  • 기술번호 : KST2015073830
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/80 (2006.01)
CPC H01L 21/76213(2013.01) H01L 21/76213(2013.01) H01L 21/76213(2013.01)
출원번호/일자 1019900021809 (1990.12.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0071537-0000 (1994.03.07)
공개번호/일자 10-1992-0013661 (1992.07.29) 문서열기
공고번호/일자 1019930011177 (19931124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.12.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대전직할시중구
2 박성호 대한민국 대전직할시서구
3 이종람 대한민국 대전직할시서구
4 김진섭 대한민국 대전직할시동구
5 박형무 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128755-32
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128757-23
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128756-88
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0065747-59
5 등록사정서
Decision to grant		 1994.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0065748-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

수직소자분리 제조방법에 있어서, 갈륨비소기판(1)의 상면에 형성된 제1소자용 에피층(2)의 위에 알루미늄 갈륨비소층(3)를 640~690℃의 온도에서 약 200~1000Å 정도의 두께로 증착하는 단계와, 절연성 갈륨비소층(4)를 200℃의 저온에서 소정의 두께로 증착하는 단계와, 알루미늄 갈륨비소(5)를 640~690℃의 온도에서 200~1000Å 정도의 두께로 증착하는 단계와, 그 상면에 갈륨비소층(7)를 증착하는 단계들을 차례로 수행함으로서 하나의 기판상에서 다수의 소자를 제조하도록 한 수직소자분리를 위한 3중층 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.