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규소기판의접착방법

  • 기술번호 : KST2015073833
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/00 (2006.01)
CPC H01L 21/0217(2013.01) H01L 21/0217(2013.01) H01L 21/0217(2013.01)
출원번호/일자 1019900021818 (1990.12.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0072429-0000 (1994.04.04)
공개번호/일자 10-1992-0013609 (1992.07.29) 문서열기
공고번호/일자 1019940000494 (19940121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.12.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강상원 대한민국 대전시중구
2 안근영 대한민국 서울시송파구
3 이경수 대한민국 대전시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128802-91
2 특허출원서
Patent Application		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128800-00
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128801-45
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0065776-73
5 등록사정서
Decision to grant		 1994.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0065777-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판의 접촉방법에 있어서, 지지규소기판(10)위에 규소질화막(11)을 소정의 두께로 증착하고, 선택적 산화될 부위(13)를 증착하는 단계와, 기체통로가 될 부위(10)들을 선택적으로 산화하여 규소산화막(13)으로 형성하는 단계와, 선택적 산화마스크를 이용하여 질화막(11a) 및 선택적 산화층(13)을 차례로 제거하고, 기체통로(14)를 형성하는 단계들로 이루어짐을 특징으로 하는 규소기판의 접착방법

2 2

제1항에 있어서, 선택적산화방식과 건식식각법에 의하여 기체통로(14)를 형성하는 것을 특징으로 하는 규소기판의 접착방법

3 3

제1항에 있어서, 기체통로(40)를 소자기판(43)에만 형성하여 접착하거나 기체통로(63)가 지지기판(61)과 소자기판(62)에 모두 형성하는 것을 특징으로 하는 규소기판의 접착방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.