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전력용금속반도체트랜지스터제조방법

  • 기술번호 : KST2015073845
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/73 (2006.01)
CPC H01L 29/66848(2013.01) H01L 29/66848(2013.01)
출원번호/일자 1019910010539 (1991.06.25)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0074196-0000 (1994.06.03)
공개번호/일자 10-1993-0001471 (1993.01.16) 문서열기
공고번호/일자 1019940002397 (19940324) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.06.25)
심사청구항수 0

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 대전직할시서구
2 김도진 대한민국 대전직할시중구
3 윤광준 대한민국 대전직할시대덕구
4 강진영 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1991.06.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0060003-90
2 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0024839-91
3 등록사정서
Decision to grant		 1994.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0024840-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

금속반도체 트랜지스터의 제작시, 소오스와 드래인(5)이 형성된 실리콘나이트라이드(6)을 플라스마 화학증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition)시키고, 그위에 감광막을 모노클로로벤젠으로 경화시켜 게이트가 형성될 부분에 오버-행 구조의 감광막(7)을 형성시킨후, 감광막을 마스크로 하여 게이트(8) 부분에 노출된 실리콘나이트라이드를 건식식각시키고, 실리콘나이트라이드를 마스크로 하여 n+층(4)의 갈륨비소층을 습식식각(첫번째 리쎄스)시키는 단계와, 감광막(7)밑에 있는 실리콘나이트라이드(6)를 건식식각방법으로 측면식각시키는 단계와, 측면식각된 실리콘나이트라이드를 마스크로 하여 n+층(4) 및 n층(3)을 습식식각(두번째 리쎄스 혹은 wide recess)시키는 단계와, 그위에 게이트용 금속을 진공증착시킨후, 아세톤 등 유기물질제거제 등으로 감광막을 제거하여, 감광막위에 증착된 금속층을 제거시키는 단계로 형성된 전력용 금속반도체 트랜지스터의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 금속반도체 트랜지스터의 제작시, 게이트 임계전압 및 게이트 드래인 사이의 채널층에 대한 파괴전압의 향상을 위해 첫번째 및 두번째 리쎄스식각에 대한 마스크로 박막특성이 우수한 실리콘나이트라이드나 실리콘 다이오사이드(silicon di-oxide, SiO2)등 건식식각 및 습식식각에 용이한 절연물질을 식각용 마스크로 사용하는 전력용 금속반도체 트랜지스터 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 첫번째 및 두번째 리쎄스식각을 위해 실리콘나이트라이드나 실리콘 다이옥사이드 등의 절연물질의 측면식각시, (CF4+O2)의 혼합가스를 사용한 건식식각방법이나, HF4+H2O계의 혼합용액을 사용하여 패턴이 형성된 감광막을 마스크로 하여 위의 절연물질을 측면식각(lateral etch)시킴으로써, 금속반도체 트랜지스터의 게이트드래인 사이의 채널층에 대한 파괴전압을 향상시키는 전력용 금속반도체 트랜지스터 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 게이트-소오스 사이 및 게이트드래인 사이의 n+층 위에 존재하는 실리콘나이트라이드나 실리콘 다이옥사이드 등의 절연물질 및 소자와 소자 사이의 갈륨비소층의 위에 존재하는 실리콘나이트라이드나 실리콘 다이옥사이드 등의 절연물질이 금속반도체 트랜지스터의 보호막 역할이 되도록 하는 전력용 금속반도체 트랜지스터 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 갈륨비소층의 첫번째 및 두번째 리쎄스식각시, 습식식각방법의 경우, 식각속도가 비교적 느린 습식용액(분당 500㎚이하)를 사용하거나, 건식식각방법의 경우, 식각속도가 비교적 느린 조건에서 건식용 가스(분당 500㎚이하)를 사용하여 금속반도체 트랜지스터의 제작에 대한 재현성을 향상시키는 전력용 금속반도체 트랜지스터 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.