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P+형 규소기판(30)상에 규소층(31, 32)을 순차 형성하고, 이 규소층을 식각하여 소자영역을 정의한 다음 절연막(33)을 도포하는 공정과, 상기 소자영역에 다결정규소(34)를 도포 및 평탄화한 다음 다른 P형 규소기판(35)과 접합하는 공정과, 상기 절연막(33)의 표면까지 상기 규소층(31)을 연마하고 아울러 상기 규소층(32)의 일부에 불순물 이온주입으로 금속접촉시키기 위한 연결부분(36)을 형성함과 동시에 그위에 절연막(37), 다결정규소(38) 및 절연막(39)을 순차 형성하는 공정과, 이어 식각공정으로 소자의 활성영역을 정의하고, 상기 절연막(37)의 측면에 흠을 형성한 다음 다결정규소를 도포 및 열산화하는 공정과, 상기 열산화된 다결정규소를 제거한 다음 이 위에 성장된 베이스박막(42)과 다결정규소를 동시에 식각하고 아울러 절연막(43, 44)을 순차 형성하는 공정과, 상기 절연막(43, 44)을 식각하여 에미터영역을 형성하는 공정과, 상기 절연막(43, 44)을 제거한 다음 상기 컬렉터의 연결부분(36)과 금속이 접촉될 부분을 식각으로 형성하는 공정과, 이어 다결정규소(45)를 증착한 다음 마스크로 에미터 다결정규소와 컬렉터 다결정규소를 동시에 정의하는 공정과, 접점을 형성한 다음 금속(47)을 증착하는 공정을 포함하는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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