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n형 매몰층(41)을 갖는 p형 규소기판(40)상에 n규소층(42)을 성장한 상태에서 산화막과 질화막 증착후 식각하여 소자의 활성영역을 정의하는 공정과, 붕소이온 주입으로 p+소자격리영역을 형성한 다음 소자활성영역(43)과 컬렉터 접합영역(44) 이외의 부분(47)을 국부적으로 열산화하는 공정과, 상기 질화막 제거후 마스크를 사용하여 불순물 주입으로 n+층(46)을 형성하는 공정과, 상기 활성영역의 산화막을 제거한 다음 p형 규소저매늄층(48)과 n형 규소층(49)을 성장하는 공정과, 그 위에 질화막(50)과 저온산화막(51)을 증착한 다음 마스크를 이용하여 에미터영역을 정의하여 이 영역에 산화막을 증착하는 공정과, 상기 산화막을 비등방성 반응성 이온식각으로 제거하여 에미터 측면산화막(521)과 측면산화막(522)이 형성되는 공정과, 이어 다결정규소(53)를 증착한 다음 붕소이온을 주입과 함께 감광막(54)을 도포하여 상기 산화막(51)의 표면까지 평탄화하는 공정과, 상기 감광막을 마스크로 사용하여 상기 p형 다결정규소(53)를 식각하는 공정과, 상기 감광막을 제거한 다음 상기 저온산화막(51)과 측면산화막(522) 및 질화막(50)을 차례로 제거하는 공정과, 상기 에미터 측면산화막(521)을 제거하는 공정과, 상기 감광막을 제거한 다음 저온산화막(55)을 증착하는 공정과, 상기 p형 다결정규소(53)를 산화막(56,57)으로 상기 n규소에미터(49)와 에미터전극용 n형 다결정규소(58)와 격리하는 공정과, 배선을 정의하여 금속을 증착하는 공정을 포함하는 결정박막 성장법을 이용한 자기정렬 동종접합 및 이종접합 쌍극자 트랜지스터 장치의 제조방법
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