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이중측면절연막을갖는자기정렬쌍극자트랜지스터장치의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073892
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 컴퓨터나 통신기기등 차세대 고속정보처리 시스템에 사용가능한 고속 쌍극자소자(Bipolar device)의 제조방법에 관한 것으로써, 특히 에미터와 베이스를 자기정렬하여 베이스 기생저항과 컬렉터 기생용량이 감소되게 하는 이중 측면절연막을 갖는 쌍극자 트랜지스터 장치의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/68 (2006.01)
CPC H01L 29/66234(2013.01) H01L 29/66234(2013.01) H01L 29/66234(2013.01)
출원번호/일자 1019910024519 (1991.12.26)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0083892-0000 (1995.04.10)
공개번호/일자 10-1993-0015049 (1993.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019950000138 (19950110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염병렬 대한민국 대전직할시중구
2 강상원 대한민국 대전직할시중구
3 이경수 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1991.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133815-36
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133816-82
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133817-27
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133818-73
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0064536-99
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1994.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133819-18
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133820-65
8 의견서
Written Opinion		 1994.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133821-11
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0064537-34
10 등록사정서
Decision to grant		 1995.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0064538-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

P형 반도체기판(30)상에 컬렉터의 N형 실리콘층(31, 32)을 형성하고, 이 N형 실리콘층(32)상에 절연막(33)패턴을 형성한 다음 이온주입으로 컬렉터 연결부분(34)을 형성하며, 아울러 소자의 활성영역을 정의 및 도랑 공정에 의해 소자를 격리하는 공정과, 상기 활성영역에 베이스 결정박막(35)을 성장하는 공정과, 이어, 적층된 절연막(36, 37), 다결정규소(38), 절연막(39) 및 다결정규소(40)를 도포한 다음 식각공정에 의해 이중의 측면절연막(41, 42)을 형성하는 공정과, 다시 베이스전극용 다결정규소(43)를 도포하는 공정과, 상기 다결정규소(43)를 평탄화하여 상기 다결정규소(38)상에 있는 절연막(39)이 노출되게 하는 공정과, 평탄화된 상기 다결정규소(43)의 남은 부분을 열산화한 다음 그 위에 절연막(44)을 형성하는 공정과, 에미터영역의 절연막과 다결정규소를 제거한 다음 남아 있는 상기 다결정규소를 다시 열산화하는 공정과, 상기 절연막(39)을 제거하여 에미터와 컬렉터영역을 열고 아울러 이 영역에 다결정규소(45)를 형성한 금속전극을 형성하는 공정을 포함하는 이중 측면 절연막을 갖는 자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.