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온도계수가개선된온도보상용유전체자기조성물및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015073902
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 온도계수가 개선된 온도보상용 유전체 자기 조성물에 있어서, 70mol%의 이산화티탄(TiO2), 20mol%의 탄산바튬(BaCO3), 5~9mol%의 산화네오디뮴(Nd2O3), 1~5mol%의 산화디스프로슘(Dy2O3)의 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 온도계수가 개선된 온도보상용 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.상기 본 발명은 상온에서 유전율 70이상이 되는 유전체를 얻을 수 있으며, 이들 유전체는 2000이상의 높은 품질계수 Q와 특히 최고 -3ppm/℃의 양호한 온도특성을 보인다. 따라서 온도보상용 유전체를 이용한 캐패시터 및 노이즈 제거용 EMI필터 제작에 이용할 수 있고, 소결온도도 낮아 전극재료로 고가의 Pd이나 Pt재료 대신에 저가의 은합금을 이용할 수 있어서 제조공정비가 절감되는 효과가 있다.
Int. CL C04B 35/468 (2006.01) C04B 35/46 (2006.01)
CPC C04B 35/46(2013.01) C04B 35/46(2013.01) C04B 35/46(2013.01) C04B 35/46(2013.01) C04B 35/46(2013.01) C04B 35/46(2013.01) C04B 35/46(2013.01)
출원번호/일자 1019930004196 (1993.03.18)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0098913-0000 (1996.05.02)
공개번호/일자 10-1994-0021467 (1994.10.19) 문서열기
공고번호/일자 1019950014717 (19951213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.03.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이석진 대한민국 대전직할시유성구
2 이창화 대한민국 대전직할시유성구
3 이상석 대한민국 대전직할시유성구
4 최태구 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1993-0023098-73
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1993-0023099-18
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1993-0023100-88
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0023101-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0008357-90
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1993-0023102-79
7 의견서
Written Opinion		 1995.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1993-0023103-14
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0008358-35
9 등록사정서
Decision to grant		 1996.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0008359-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

70mol%의 이산화티탄(TiO2), 20mol%의 탄산바륨(BaCO3), 5~9mol%의 산화네오디뮴(Nd2O3), 1~5mol%의 산화디스프로슘(Dy2O3)의 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 온도계수가 개선된 온도 보상용 유전체 자기 조성물

2 2

제1항에 있어서, 상기 온도보상용 유전체 자기 조성물은 부성물로 1WT%의 티탄산동(CuTiO3)을 더 포함하여 것을 특징으로 하는 온도계수가 개선된 온도보상용 유전체 자기 조성물

3 3

제1항에 있어서, 상기 온도보상용 유전체 자기 조성물은 부성물로 1WT%의 산화붕소동(CuO-B2O3)을 더 포함하여 것을 특징으로 하는 온도계수가 개선된 온도보상용 유전체 자기 조성물

4 4

제1항에 있어서, 상기 온도보상용 유전체 자기 조성물은 부성물로 1WT%의 이산화붕소동(2CuO~B2O3)을 더 포함하여 것을 이루어지는 특징으로 하는 온도계수가 개선된 온도보상용 유전체 자기 조성물

5 5

70mol%의 이산화티탄(TiO2), 20mol%의 탄산바륨(BaCO3), 5~9mol%의 산화네오디뮴(Nd2O3), 1~5mol%의 산화디스프로슘(Dy2O3)의 조성물에 부성물로 1WT%의 티탄산동(CuTiO3) 산화물을 첨가하여 형성된 온도계수가 개선된 온도보상용 유전체 자기 조성물 제조 방법에 있어서, 상기 부성물 티탄산동(CuTiO3)은 산화제이동과 이산화티탄(TiO2)을 1 : 1mol비로 평량하여 하소하는 것을 특징으로 하는 온도계수가 개선된 온도보상용 유전체 자기 조성물 제조 방법

6 6

제5항에 있어서, 상기 조성물의 소결온도는 1220~1260℃인 것을 특징으로 하는 온도계수가 개선된 온도 보상용 유전체 자기 조성물 제조 방법

7 7

70mol%의 이산화티탄(TiO2), 20mol%의 탄산바륨(BaCO3), 5~9mol%의 산화네오디뮴(Nd2O3), 1~5mol%의 산화디스프로슘(Dy2O3)의 조성물에 부성물로 1WT%의 산화붕소동(2CuO-B2O3) 산화물을 첨가하여 형성된 온도계수가 개선된 온도보상용 유전체 자기 조성물 제조 방법에 있어서, 상기 산화붕소동(CuO-B2O3)은 산화제이동과 산화붕소를 1 : 1mol비로 평량하여 하소하는 것을 특징으로 하는 온도계수가 개선될 온도 보상용 유전체 자기 조성물 제조 방법

8 8

제7항에 있어서, 상기 조성물의 소결온도는 1220~1260℃인 것을 특징으로 하는 온도계수가 개선된 온도 보상용 유전체 자기 조성물 제조 방법

9 9

70mol%의 이산화티탄(TiO2), 20mol%의 탄산바륨(BaCO3), 5~9mol%의 산화네오디뮴(Nd2O3), 5~9mol%의 산화디스프로슘(Dy2O3)의 조성물에 부성물로 1WT%의 이산화붕소동(2CuO-B2O3) 산화물을 첨가하여 형성된 온도계수가 개선된 온도보상용 자기 조성물 제조 방법에 있어서, 상기 이산화붕소동(2CuO-B2O3)은 산화제이동과 산화붕소를 2 : 1mol비로 평량하여 하소하는 것을 특징으로 하는 온도계수가 개선된 온도 보상용 유전체 자기 조성물 제조 방법

10 10

제9항에 있어서, 상기 조성물의 소결온도는 1220~1260℃인 것을 특징으로 하는 온도계수가 개선된 온도보상용 유전체 자기 조성물 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.