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반절연성 갈륨비소 기판(1) 위에 2차원 전자 가스층(2)을 형성하고, 그 위에 식각정지용 알루미늄 갈륨비소층(3)을 형성하고, 그 위에 소자의 저항을 줄이기 위해 도핑된 갈륨비소층(4)을 성장한 기판 위에 1차 감광막(5) 및 2차 감광막(6)을 각각 차례로 도포 및 열처리한 후 소정 리소그라피 기술에 의해서 상기 감광막(5,6)에 원하는 T형 게이트 형상을 만드는 공정(가)과, 상기 공정(가)의 형상에 의해 노출된 상기 도핑된 갈륨비소층(4)을 식각하여 리쎄스 식각된 부분(7)을 형성하는 공정(나)과, ECR 방법에 의해서 상기 공정(나)에 의한 형상의 전면에 저온 절연막(8)을 증착하는 공정(다)과, 상기 저온 절연막(8)을 수평방향으로 되식각하여 남은 측면 절연막(8a,8b)를 형성한 공정(라)과, 상기 공정(라)위에 증착에 의해서 게이트 금속(9)을 형성하는 공정(마)과, 리프트 오프 방법에 의해서 T형 게이트(9a)의 길이가 상기 공정 (가) 및 (나)에서 형성된 T형 게이트 형상의 길이보다 상기 저온 절연막(8)층의 두께의 2배만큼 짧아진 게이트 금속을 형성하는 공정(바)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 절연막을 이용한 게이트 금속의 형성법
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