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이단계식각공정에의한게이트금속의형성방법

  • 기술번호 : KST2015073918
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 제작에 있어서 이 단계 식각공정에 의한 게이트 금속의 형성방법에 관한 것으로서, 종래기술에 있어 습식식각만 또는 건식식각만으로 공정을 하여 게이트, 소스 및 드레인 사이의 저항이 증대되어 소스와 드레인 사이의 전류통로가 끊어지고, 계면특성이 나빠지는 문제점을 각각 발생하였기 때문에 본 발명은 기판(1)위에 감광막의 형성을 형성하는 공정(a)과, 일단계 식각 및 이단계 식각공정(b,c)과, 금속층(6)의 중착공정(d)과, 소정의 금속층(6)을 리프트오프 공정에 의해서 제거하여 게이트 금속(7)을 형성하는 공정(e)을 제공함으로써 종래의 방법에 비해 공정수는 증가하지만 계면에서 생기는 문제점을 해결하고 소자의 신뢰도를 향상시켜 경제성을 크게 개선시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66431(2013.01) H01L 29/66431(2013.01) H01L 29/66431(2013.01)
출원번호/일자 1019930027217 (1993.12.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0117351-0000 (1997.07.01)
공개번호/일자 10-1995-0021256 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970004433 (19970327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.10)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진희 대한민국 대전직할시유성구
2 윤형섭 대한민국 대전직할시유성구
3 박철순 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.10 수리 (Accepted) 1-1-1993-0137491-09
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.10 수리 (Accepted) 1-1-1993-0137493-90
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.10 수리 (Accepted) 1-1-1993-0137492-44
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0137494-35
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0064046-08
6 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0137495-81
7 등록사정서
Decision to grant		 1997.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0064047-43
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반절연 GaAs기판(1)위에 AlxGa(1-x)층으로된 식각정지층(2)을 형성하고, 그 위에 게이트 영역(8)을 정의하기 위한 식각마스크(3)을 형성하는 공정(a)과, 상기 게이트 영역(8)에 건식식각방법으로 수직한 프로파일을 식각하여 일단계 식각에 의해 정의된 영역(4)을 형성하는 공정(b)과, 상기 일단계 식각에 의해 정의된 영역(4)을 습식식각방법으로 수평방향의 식각을 수행하여 이단계 식각에 의해 형성된 기판(5)을 형성하는 공정(c)과, 상기 식각마스크(3)상부 및 상기 게이트 영역(8)위에 금속층(6)을 증착하는 공정(d)과, 상기 식각마스크(3)상부 및 이 위에 형성된 상기 금속층(6)을 리프트 오프 공정에 의해 제거한 후 게이트금속(7)을 형성하는 공정(e)을 포함하는 이단계 식각공정에 의한 게이트 금속의 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 이단계 식각에 의해 형성된 기판(8)은 저손상 기판층인 것을 특징으로 하는 이단계 식각공정에 의한 게이트 금속의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.